LM3Z8V2T1H 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)推出的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节、参考电压生成以及电压保护电路中。该器件的齐纳电压标称值为8.2V,采用SOD-123封装,适用于各种便携式设备和精密电子系统。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(标称):8.2V
最大齐纳电流:200mA
功率耗散:300mW
封装形式:SOD-123
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
最大反向漏电流(VR < VZ):100nA(典型)
LM3Z8V2T1H 齐纳二极管具有良好的电压稳定性,适用于要求高精度电压参考的电路设计。其采用的SOD-123封装形式,体积小巧,便于在空间受限的电路板上安装,适用于高密度组装需求。此外,该器件具有较低的动态阻抗,能够有效减少电压波动,提高电路的稳定性和可靠性。
LM3Z8V2T1H 的齐纳电压容差为±5%,确保在标准工作条件下提供稳定的电压输出。其最大齐纳电流可达200mA,适合中等功率的电压调节应用。同时,该器件的功率耗散能力为300mW,能够在较宽的温度范围内正常工作,适应多种环境条件。
该齐纳二极管的反向漏电流在未达到击穿电压时非常低,通常仅为100nA左右,有助于减少静态功耗,提高系统的能效。LM3Z8V2T1H 还具有良好的温度系数,确保在不同温度环境下电压保持稳定,适用于精密测量和控制系统。
LM3Z8V2T1H 主要用于电源管理电路中的电压参考和稳压应用。例如,在电池供电设备中,它可以作为基准电压源,确保ADC(模数转换器)或其他模拟电路获得稳定的参考电压。此外,该器件也常用于过压保护电路,防止敏感电子元件受到电压尖峰的损害。
在通信设备中,LM3Z8V2T1H 可用于提供稳定的偏置电压或参考电压,确保信号链的稳定性。它也适用于工业控制系统中的传感器接口电路,提供精确的电压参考,提升测量精度。
由于其体积小、性能稳定,LM3Z8V2T1H 还广泛应用于消费类电子产品、汽车电子系统以及医疗设备中的电压调节和保护电路。
LM3Z8V2B、LM3Z8V2T1、BZT52C-8V2、MM3Z8V2T1