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HMPP-3892-TR1G 发布时间 时间:2025/9/15 20:14:10 查看 阅读:10

HMPP-3892-TR1G 是一款由 Avago(安华高科技)公司生产的 GaAs(砷化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)场效应晶体管(FET),适用于高频和高功率放大器应用。这款晶体管设计用于在 0.1 GHz 到 6 GHz 的频率范围内工作,具备优异的增益和效率表现,广泛应用于无线通信系统、雷达设备和测试仪器等场景。

参数

类型:HEMT FET
  材料:GaAs
  频率范围:0.1 GHz - 6 GHz
  输出功率:典型值为 10 W(在 2.1 GHz)
  漏极电流(Id):最大为 600 mA
  漏极电压(Vds):最大为 28 V
  增益:典型值为 12 dB(在 2.1 GHz)
  效率:典型值为 40%(在 2.1 GHz)
  封装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

HMPP-3892-TR1G 采用 GaAs HEMT 技术,具备高电子迁移率特性,使其在高频应用中表现优异。该器件在宽频率范围内保持稳定的性能,支持从 UHF 到微波频段的多用途应用。
  其高输出功率能力和高增益使其非常适合用于功率放大器前端,同时具备良好的线性度和稳定性,有助于降低系统设计的复杂度。
  此外,该器件具有高热稳定性和可靠性,适合在严苛的环境条件下使用。其表面贴装封装(SMD)便于在印刷电路板(PCB)上安装,有助于提高生产效率并降低制造成本。
  在电源管理方面,HMPP-3892-TR1G 支持较高的漏极电压(Vds)和电流,能够在较高的工作电压下稳定运行,提供更高的设计灵活性。

应用

HMPP-3892-TR1G 常用于无线通信基础设施中的功率放大器,例如蜂窝基站、WiMAX 和 LTE 系统。此外,它还适用于雷达系统、测试与测量设备以及工业控制系统等需要高频率、高功率放大的场景。该器件的宽频率响应特性使其能够适应多种通信标准和频段需求,具有良好的通用性和扩展性。

替代型号

MRF6S20100SN1、CMRD7010、AMMC-5041

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