时间：2025/4/29 9:36:56
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HMK325C7475KM-P是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，适用于各种电源管理场景，包括开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。其封装形式紧凑，适合高密度布局需求，同时具备良好的热稳定性和电气特性。
型号：HMK325C7475KM-P
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：65nC
总功耗(Ptot)：180W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
HMK325C7475KM-P具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中的高效运行，减少了功率损耗。
2. 快速开关速度降低了开关损耗，提升了系统的整体效率。
3. 高耐压能力使其能够在复杂的工作环境下保持稳定性。
4. 优化的热设计提高了散热性能，延长了器件寿命。
5. 支持高频率操作，适合现代电子设备对小型化和高效率的需求。
6. 广泛的工作温度范围使其适应多种极端环境条件。
HMK325C7475KM-P广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换。
2. 电机驱动系统，适用于工业控制和消费类电子产品中的无刷直流电机控制。
3. 逆变器和UPS电源，用于能源管理和应急供电系统。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电力管理系统。
5. 充电器电路，如笔记本电脑充电器和手机快充解决方案。
6. 各种工业自动化和通信设备的电源模块。
HMK325C7475KM-N, IRF7475, FDP7475
