HMK325BJ684KN-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率、高频率的电源转换场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于各种工业及消费类电子设备中的电源管理与控制。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,能够提供稳定的电流输出并支持大功率负载,同时具有良好的热性能和电气稳定性,确保在极端条件下的可靠运行。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.05Ω
栅极电荷:80nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
HMK325BJ684KN-T拥有出色的电气性能,其主要特点如下:
1. 高耐压能力,适合高压应用场景;
2. 极低的导通电阻,显著降低功耗,提高整体效率;
3. 快速开关速度,支持高频工作模式;
4. 内置过温保护功能,有效防止因过热引起的损坏;
5. 出色的热稳定性和机械强度,适应恶劣的工作环境;
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该芯片广泛应用于各类需要高效电源管理的场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS);
2. 逆变器和不间断电源(UPS);
3. 电机驱动和控制系统;
4. 工业自动化设备;
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统;
6. 电动汽车充电桩及相关设备。
HMK325BJ684KN-T凭借其卓越的性能和可靠性,在这些领域中表现优异。
HMK325BJ684KN-R, HMK325AJ684KN-T, IRFP460