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HMK325BJ684KN-T 发布时间 时间:2025/6/27 2:09:43 查看 阅读:6

HMK325BJ684KN-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率、高频率的电源转换场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于各种工业及消费类电子设备中的电源管理与控制。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,能够提供稳定的电流输出并支持大功率负载,同时具有良好的热性能和电气稳定性,确保在极端条件下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:80nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

HMK325BJ684KN-T拥有出色的电气性能,其主要特点如下:
  1. 高耐压能力,适合高压应用场景;
  2. 极低的导通电阻,显著降低功耗,提高整体效率;
  3. 快速开关速度,支持高频工作模式;
  4. 内置过温保护功能,有效防止因过热引起的损坏;
  5. 出色的热稳定性和机械强度,适应恶劣的工作环境;
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于各类需要高效电源管理的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS);
  2. 逆变器和不间断电源(UPS);
  3. 电机驱动和控制系统;
  4. 工业自动化设备;
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统;
  6. 电动汽车充电桩及相关设备。
  HMK325BJ684KN-T凭借其卓越的性能和可靠性,在这些领域中表现优异。

替代型号

HMK325BJ684KN-R, HMK325AJ684KN-T, IRFP460

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HMK325BJ684KN-T参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥1.22047卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.083"(2.10mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-