时间：2025/7/3 9:56:29
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HMK325B7105KNHT 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效率和低损耗的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性。
该MOSFET属于N沟道增强型，其封装形式为TO-247，能够承受较高的电压和电流，同时具备较低的导通电阻，有助于提高整体系统的效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：105A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：200nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
HMK325B7105KNHT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达650V，适用于高压环境下的应用。
2. 大电流承载能力：连续漏极电流可达105A，确保在高负载条件下稳定运行。
3. 低导通电阻：仅为1.6mΩ，有效减少导通损耗，提升系统效率。
4. 快速开关性能：较低的栅极电荷和优化的开关时间，支持高频开关操作。
5. 宽工作温度范围：能够在极端温度条件下可靠工作，适应多种工业应用场景。
6. 稳定性和耐用性：经过严格的质量控制和测试流程，确保长期使用的稳定性。
HMK325B7105KNHT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 工业级和消费级AC-DC转换器
- 高效隔离式电源模块
2. 电机驱动：
- 电动车和混合动力车中的电机控制器
- 工业自动化设备中的伺服电机驱动
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源（UPS）系统
4. 其他应用：
- 各类大功率电子负载
- 高频焊接设备
- 能量回收装置
HMK325B7105K4, IRFP260N, STP105N06LL
