HMK212B7222KDHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性,能够满足高效能电力转换的需求。
型号:HMK212B7222KDHT
类型:N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压:650V
连续漏极电流:22A
导通电阻:0.08Ω
栅极电荷:75nC
功耗:30W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
HMK212B7222KDHT采用了先进的半导体制造工艺,确保其在高频开关应用中的效率和可靠性。
1. 低导通电阻设计有效降低了功率损耗,提高了整体系统效率。
2. 高速开关性能使其非常适合于高频DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 芯片内置过温保护功能,能够在极端条件下自动限制电流以保护器件。
4. 封装形式紧凑,具备优良的散热能力,可适应严苛的工作环境。
5. 提供了优异的ESD防护性能,增强了芯片的抗干扰能力。
HMK212B7222KDHT广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)的设计与实现。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. LED驱动器以及各类高效能功率管理系统。
5. 不间断电源(UPS)及电池充电器。
HMK212B7222KDHTR,
HMK212B7222KDHLT,
HMK212B7222KDH,
IRFP460