类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：NPN 型 Si Bipolar Transistor
　　封装形式：金属陶瓷封装（Metal-Ceramic Enclosure）
　　最大工作频率：175 MHz
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80 V
　　最大集电极电流（Ic）：15 A
　　最大功耗（Ptot）：300 W
　　增益（hFE）：≥ 10 dB
　　输出功率（Pout）：≥ 125 W @ 175 MHz
　　阻抗匹配：50 Ω 输入 / 50 Ω 输出
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

KTX111T 射频功率晶体管具有多项显著的技术特性，使其在高功率射频放大器中表现出色。
　　首先，其采用金属陶瓷封装，具备良好的散热性能和机械强度，能够在高功率和高温环境下稳定运行。这种封装形式也增强了器件的耐环境适应能力，适用于户外或恶劣工业环境。
　　其次，KTX111T 的最大工作频率可达 175 MHz，适用于 VHF 和 UHF 频段的多种应用，如 FM 广播发射机、电视发射机、军用通信设备等。该器件在这些频段内能够提供高达 125 W 的连续波（CW）输出功率，表现出良好的线性度和效率。
　　此外，KTX111T 具有较高的增益（≥10 dB）和良好的输入输出阻抗匹配（50 Ω），这使得它在射频电路设计中更容易集成，减少外围匹配元件的需求，提高整体系统的稳定性和可靠性。
　　该器件的热稳定性和抗过载能力也非常出色，能够承受一定程度的失配和反射功率，从而避免因负载变化导致的损坏。其工作温度范围宽广（-65°C 至 +150°C），适用于各类极端环境下的应用。
　　最后，KTX111T 采用成熟的硅双极型工艺制造，具备良好的批量一致性和长期可靠性，是工业级和军用级设备的理想选择。

KTX111T 主要应用于需要高功率射频放大的系统中，特别是在广播、通信和工业控制领域。典型应用包括 FM 广播发射机、电视发射机、无线中继系统、军事通信设备、雷达模拟器、测试仪器和高频加热设备等。
　　在广播领域，KTX111T 常用于中功率 FM 发射机的末级放大模块，提供稳定可靠的射频输出，确保广播信号的清晰和覆盖范围。
　　在通信设备中，该晶体管可用于 UHF 频段的发射机设计，适用于陆地移动通信、集群通信系统和专用无线网络。
　　在工业和科研领域，KTX111T 可用于射频测试设备、信号发生器和等离子体电源系统等高功率射频应用中，提供可控和高效的射频能量输出。
　　此外，其高稳定性和抗干扰能力也使其在军用通信和电子战设备中具有广泛应用前景。

KTX111T 的替代型号包括 KTX111、KTX112T 和 BLF177 等。这些型号在封装、频率范围、输出功率等方面与 KTX111T 类似，可根据具体应用需求进行选型替代。