时间:2025/12/27 10:52:12
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HMK107SD821KA-T是一款由华新科(Walsin Technology Corporation)生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于表面贴装型电容器,广泛应用于各类电子设备中,以提供稳定的电容性能和良好的高频响应。HMK107SD821KA-T的电容值为820pF,额定电压为50V,适用于需要高稳定性和低损耗的电路设计场景。该型号采用EIA 0603(1608公制)封装尺寸,适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。作为一款X7R温度特性的电介质产品,它能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%,因此非常适合工业、汽车以及通信类电子产品中的去耦、滤波和旁路应用。该器件符合RoHS环保要求,并具备良好的抗湿性和可靠性,经过严格的AEC-Q200认证测试,适用于对长期稳定性有较高要求的应用环境。
电容值:820pF
额定电压:50V
电介质类型:X7R
容差:±10%
封装尺寸:0603(1608公制)
温度范围:-55°C ~ +125°C
直流偏压特性:典型条件下电容变化较小
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C·V ≥ 10000Ω·F(取较大者)
耐久性:在额定电压与125°C环境下工作1000小时后,电容变化不超过初始值的±15%且tanδ ≤ 初始值的1.5倍
HMK107SD821KA-T具有优异的温度稳定性,采用X7R类电介质材料,确保其在-55°C到+125°C的极端工作温度范围内电容值的变化控制在±15%以内,这使其成为工业控制、汽车电子和电源管理模块中理想的电容选择。该特性对于那些在复杂热环境中运行的系统至关重要,例如发动机舱内的传感器模块或户外通信基站设备。X7R材料还具备较低的老化率,通常每年仅下降约2.5%,从而保障了产品在整个生命周期内的性能一致性。
该电容器采用先进的多层叠膜工艺制造,内部电极使用镍(Ni)作为内电极材料,具备良好的抗迁移能力,有效防止因湿气渗透导致的短路风险。同时,这种结构设计增强了产品的机械强度和抗热冲击能力,在回流焊过程中不易产生裂纹或分层现象。此外,由于其0603小型化封装,该器件在有限的PCB空间内实现了高性能集成,有助于缩小终端产品的体积并提升整体布板效率。
HMK107SD821KA-T具有出色的高频响应特性,等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)均处于较低水平,使其在射频电路、高速数字系统及开关电源中表现出优秀的去耦和噪声抑制能力。即使在高频条件下,也能维持较高的阻抗稳定性,减少信号失真和电磁干扰。结合其50V的工作电压等级,可在多种中压应用场景中替代传统的钽电容或铝电解电容,实现更高的可靠性和更长的使用寿命。
该器件通过了AEC-Q200车规级认证,表明其在温度循环、高温高湿偏置(H3TRB)、机械振动等严苛测试条件下仍能保持稳定性能,适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器单元和车身控制模块等对安全性要求极高的场合。生产过程遵循无铅焊接标准,兼容主流SMT贴片工艺,支持自动化批量生产,提高了制造良率和一致性。
HMK107SD821KA-T广泛应用于多个高可靠性电子系统中。在汽车电子领域,常用于ECU(电子控制单元)、车载摄像头模块、雷达传感器和车载网络接口的电源去耦与信号滤波,凭借其AEC-Q200认证和宽温特性,能够适应发动机舱内剧烈的温度波动和复杂的电磁环境。在工业控制系统中,该电容器被用于PLC(可编程逻辑控制器)、变频器、伺服驱动器等设备的模拟前端和DC-DC转换电路中,提供稳定的电容支持,防止电压波动影响系统精度。
在通信基础设施方面,HMK107SD821KA-T可用于基站射频模块、光模块和路由器中的旁路电容,帮助抑制高频噪声,提高信号完整性。其低ESR和良好频率响应特性使其在GHz以下频段表现优异,是高速数据传输链路中不可或缺的元件之一。此外,在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中,该型号也常见于电源管理IC(PMIC)周围的退耦网络,确保核心芯片供电平稳,降低功耗并延长电池寿命。
医疗电子设备同样受益于该电容器的高可靠性,例如便携式监护仪、超声成像系统和输液泵等产品中,HMK107SD821KA-T用于关键信号路径的滤波和稳压,保证诊断数据的准确性和设备运行的安全性。总体而言,这款MLCC因其小尺寸、高稳定性与广泛的适用性,已成为现代电子产品中广泛应用的基础被动元件之一。
GRM188R71H821KA88D
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C1608X7R1H821K