电容值：150μF
　　容差：±10%
　　额定电压：6.3V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　长度：1.6 ± 0.15 mm
　　宽度：0.8 ± 0.15 mm
　　厚度：最大 1.1 mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡外涂层（Ni-Sn）
　　绝缘电阻：≥ 50 MΩ 或 R × C ≥ 500 Ω·F（取较大值）
　　耐久性：在额定电压和+125°C环境下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的-75%~+25%，且绝缘电阻满足标准要求
　　浪涌电压：最大 7.9V（短时间内可承受的峰值电压）

HMK107SD151KA-T作为一款高性能多层陶瓷电容器，其最显著的特性在于在有限的物理尺寸内实现了相对较大的电容值。这得益于三星电机采用的超薄介电层技术和高精度叠层工艺，使得在0603小型封装中集成多达数百层陶瓷介质成为可能。X7R类电介质材料具有较高的体积效率和适中的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等低稳定性介质，因此更适合用于对电性能一致性要求较高的电路环境。该器件具备极低的等效串联电阻（ESR），使其在高频去耦和瞬态电流响应方面表现出色，能有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。
　　另一个重要特性是其优异的机械强度和热循环可靠性。通过优化端电极结构（S型端子设计）和引入镍阻挡层，显著提升了抗热应力和焊接裂纹的能力，减少了因PCB弯曲或温度骤变导致的开裂风险。这对于移动设备在跌落、振动或极端环境下的长期可靠性至关重要。同时，锡外涂层确保了良好的可焊性，兼容无铅回流焊工艺，符合现代环保制造标准。此外，该电容器具有较低的等效串联电感（ESL），有助于扩展有效滤波频率范围，增强高频滤波能力。
　　值得注意的是，该类高容值MLCC存在明显的直流偏压效应，即随着施加电压接近额定值，实际可用电容会显著下降。例如，在6.3V满电压下，HMK107SD151KA-T的实际电容可能仅保留标称值的40%-60%左右。因此在电路设计时必须参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额使用，避免因电容衰减过大而导致滤波失效。总体而言，该器件在小型化、高容、可靠性和工艺兼容性之间取得了良好平衡，是现代高集成度电子系统中不可或缺的关键元件。

HMK107SD151KA-T广泛应用于各类高密度便携式电子设备中，特别是在空间受限但需要稳定电源供应的场景下表现突出。其主要用途包括移动设备中的电源管理单元（PMU）输入/输出端的去耦与滤波，用于平滑电压波动并吸收瞬态电流尖峰，从而提高处理器、射频模块和传感器等敏感电路的工作稳定性。在智能手机和平板电脑中，该电容器常被部署于应用处理器、基带芯片和内存模组周围的电源轨上，作为局部储能元件以应对动态负载变化。
　　此外，该器件也适用于可穿戴设备如智能手表、无线耳机等对体积和重量极为敏感的产品，因其小尺寸和轻质特性能够帮助实现更紧凑的设计。在电池供电的物联网终端、蓝牙模块和Wi-Fi通信模块中，HMK107SD151KA-T可用于稳定低压直流电源（如1.8V、3.3V或5V），减少电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。在音频放大电路中，它可作为耦合或退耦电容，防止交流信号串扰影响直流偏置点。对于需要多层PCB堆叠和细间距元件布局的高端消费电子产品，该0603封装的MLCC能够完美匹配高密度SMT组装工艺，支持自动化贴片和回流焊接流程，极大提高了生产效率和良率。总之，凡是要求在微型封装内实现较高电容值且具备良好温度稳定性的场合，HMK107SD151KA-T都是理想选择之一。

GRM188R71C154KA01D
　　CL2018SR71C154KA1NN
　　C1608X7R1C154K035AB
　　EMK107BJ151KA-T