时间:2025/12/27 10:37:53
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HMK107C7224MAHTE是一款由三星电机(Samsung Electro-Mechanics)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),专为高稳定性和高性能的电子电路设计而开发。该器件属于C0G(NP0)电介质系列,具有极佳的温度稳定性、低损耗和几乎为零的电容随温度变化的漂移特性,适用于对精度和可靠性要求极高的应用场景。HMK107C7224MAHTE采用标准的0603(1608公制)封装尺寸,额定电容为0.22μF(220nF),额定电压为50V DC,具备出色的高频响应能力和良好的机械强度。该电容器广泛用于射频(RF)电路、定时电路、滤波器、振荡器以及精密模拟信号处理系统中,作为旁路、去耦、耦合或谐振元件使用。其无磁性材料构造也使其适合在高磁场敏感环境中应用。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持回流焊工艺,便于自动化表面贴装生产。
产品类型:陶瓷电容
电容值:0.22μF (220nF)
容差:±20%
额定电压:50V DC
电介质材料:C0G (NP0)
温度系数:0±30ppm/℃
工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
封装尺寸:0603 (1608 公制)
长度:1.6mm
宽度:0.8mm
高度:0.8mm
安装方式:表面贴装 (SMD)
端接形式:镍阻挡层 / 锡涂层
老化率:≤0.1% 每十年
绝缘电阻:≥10^4 MΩ·μF
ESR(等效串联电阻):典型值 < 100mΩ
ESL(等效串联电感):典型值 < 0.5nH
HMK107C7224MAHTE所采用的C0G(NP0)电介质材料是目前最稳定的陶瓷材料之一,能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值。其温度系数为0±30ppm/℃,意味着即使在极端环境条件下,电容值也不会发生显著变化,非常适合用于需要长期稳定性的精密电路中。
该器件具有非常低的介质损耗,典型的耗散因子(DF)低于0.1%,这使得它在高频应用中表现出色,能够有效减少能量损失并提高系统效率。这种低损耗特性特别适用于射频匹配网络、LC谐振电路和高Q值滤波器设计。
由于C0G材料本质上是非铁电性的,因此该电容器不会出现像X7R或Y5V类电容那样的直流偏压效应——即施加电压后电容值大幅下降的现象。这一优势确保了在各种偏置电压下的电气性能一致性,提升了系统的可预测性和可靠性。
HMK107C7224MAHTE的小型化0603封装使其非常适合空间受限的高密度PCB布局,同时仍能提供50V的工作电压,兼顾了小型化与耐压需求。其结构经过优化,具备良好的抗机械应力能力,在热循环和振动环境下仍能保持可靠连接。
该电容器采用三层端子电极结构(Ni/Sn),增强了焊接可靠性和耐湿性,防止因银迁移导致的短路风险。同时,该结构支持无铅回流焊工艺,符合现代绿色制造要求。
HMK107C7224MAHTE因其卓越的电气稳定性和高频性能,被广泛应用于高端通信设备中的射频前端模块,如功率放大器、低噪声放大器和天线调谐电路中,作为旁路和去耦电容使用,能够有效抑制噪声并提升信号完整性。
在精密模拟电路中,例如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC接口电路,该电容器可确保信号路径的相位稳定性和幅频响应一致性,避免因电容漂移引起的测量误差。
该器件也常用于各类振荡器电路(如LC振荡器、晶体振荡器缓冲级)中作为谐振元件,凭借其极低的温度系数和老化率,有助于维持频率输出的长期稳定性。
在工业控制、医疗电子和测试测量仪器等领域,HMK107C7224MAHTE用于高精度传感器信号调理电路和参考电压去耦,保障系统在宽温范围内的准确运行。
此外,它还适用于汽车电子中的高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载信息娱乐系统和电源管理单元,满足AEC-Q200可靠性认证的相关要求(尽管需确认具体批次是否通过认证)。其无磁特性也使其可用于MRI设备周边的电子模块或高灵敏度磁传感系统中。
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"GRM188C72A224KA01D",
"CL21A224KAFNNNE",
"C0603C224K5RACTU",
"CC0603JRNPO9BN224"
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