时间：2025/9/15 1:45:37
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PSMN7R5-30MLD 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于其 TrenchMOS? 系列产品之一。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能，适用于高效率电源转换和功率管理应用。PSMN7R5-30MLD 采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具有良好的散热性能和可靠性，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及汽车电子等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（最大值，典型值5.2mΩ）
功耗（Ptot）：96W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN7R5-30MLD 采用 NXP 的 TrenchMOS? 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其 Rds(on) 典型值为 5.2mΩ，在高温工作条件下仍能保持良好的性能，适用于高负载电流的应用场景。该器件的封装形式为 LFPAK56，这种封装不仅具备优异的热传导性能，还具有较高的机械强度和可靠性，特别适合在高温和高振动环境下使用。
此外，PSMN7R5-30MLD 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 4.5V 至 10V 驱动电压，便于与各种栅极驱动 IC 配合使用。其高耐压能力和低导通电阻使其在 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路中表现出色。该器件还具有良好的短路耐受能力，有助于提高系统的稳定性和安全性。
LFPAK56 封装采用无引线设计，减小了封装电感，有助于降低开关损耗并改善高频性能。此外，该封装结构支持双面散热，可进一步提升散热效率，使器件在高功率密度应用中表现更佳。
PSMN7R5-30MLD 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中，如服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制、电动汽车电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、负载开关、同步整流电路以及电机控制模块等。其优异的导通性能和热管理能力也使其成为汽车电子系统中用于电源管理的理想选择。在汽车应用中，该器件可作为电池保护开关、电动助力转向系统（EPS）中的功率开关、车载充电器（OBC）和逆变器模块中的主开关器件等。此外，在消费类电子产品中，例如高性能笔记本电脑和游戏设备的电源管理系统中，PSMN7R5-30MLD 也可作为高效率功率开关使用。
PSMN10R0-30MLD, PSMN9R5-30MLD, PSMN8R5-30MLD
