时间：2025/3/25 9:55:22
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HMK105CG820JV-F 是一款高性能的工业级 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其耐压能力、电流承载能力和热性能都经过优化设计，能够满足严苛的工业环境要求。
型号：HMK105CG820JV-F
封装：TO-263
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：200V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：55A
VGS（栅源极电压）：±20V
功耗：240W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 超低导通电阻 (RDS(on))，有助于减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电压 (200V)，确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关能力，支持高频应用。
4. 强大的电流处理能力 (55A)，适合大功率负载。
5. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应极端环境条件。
6. 优异的热性能，具备良好的散热管理功能。
7. 工业级可靠性设计，可长期稳定工作。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
3. 不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 各类保护电路，例如过流保护和短路保护。
5. 高效节能的电子负载控制方案。
6. 汽车电子系统的功率管理单元。
HMK105CG820JW-F, HMK105DG820JV-F
