电容值：4700pF (4.7nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R (±15% 从 -55°C 到 +125°C)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸（英寸）：0603 (1608 公制)
　　尺寸（毫米）：1.6mm x 0.8mm x 0.9mm
　　端接类型：贵金属电极（Ni/Sn）
　　包装形式：编带（Tape and Reel）
　　无铅：是
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　直流偏压特性：在额定电压下电容值会有所下降，典型值约为初始值的60%-70%
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R×C ≥ 500ΩF（取较大者）
　　耐久性：在额定电压和+125°C环境下持续工作1000小时后，仍满足电容变化率和损耗角正切要求

HMJ316B7472KFHT具有优异的温度稳定性和宽泛的工作温度范围，能够在-55°C至+125°C的极端环境下保持电容值的相对稳定，变化幅度控制在±15%以内，符合EIA标准X7R特性。这种稳定性使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，例如精密模拟电路中的滤波、时钟电路的旁路以及传感器信号调理路径中的耦合。
　　该电容器采用先进的多层叠膜技术和高温共烧工艺制造，确保了内部电极与陶瓷介质之间的良好结合，提升了机械强度和抗热冲击能力。即使在多次回流焊过程中也能保持结构完整性，不易产生微裂纹或分层现象。此外，其端电极为三层结构（铜-镍-锡），提供了出色的可焊性和长期可靠性，能够有效防止因环境湿气或热循环引起的焊点退化。
　　在电气性能方面，HMJ316B7472KFHT展现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频去耦和噪声抑制方面表现优异。尽管作为II类陶瓷材料，其电容值会随施加的直流偏压而下降，但在多数实际应用中，这种特性已被充分建模并纳入设计考量。制造商通常提供详细的DC偏压曲线供参考，以便工程师准确评估其在目标电路中的有效电容量。
　　该器件符合RoHS指令要求，不含铅及其他有害物质，适用于绿色环保产品设计。同时，其小尺寸封装（0603）有助于节省PCB空间，支持高密度布局，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网节点等紧凑型电子产品。批量生产的一致性高，良率稳定，便于自动化贴片组装，提高了生产效率和产品一致性。

HMJ316B7472KFHT广泛应用于各类需要稳定电容性能的小型化电子设备中。常见用途包括电源去耦，特别是在微处理器、FPGA、ASIC等数字IC的供电引脚附近，用于滤除高频噪声并维持电压稳定。其低ESR和快速响应能力有助于减少瞬态电流引起的电压波动，从而提高系统稳定性。
　　在模拟电路中，该电容器可用于信号耦合与交流旁路，例如音频放大器级间耦合、传感器输出信号的交流成分提取等。由于X7R介质在宽温范围内性能稳定，因此也适用于工业控制设备、汽车电子模块（非引擎舱内）以及医疗监测仪器等对可靠性要求较高的领域。
　　此外，该器件还可用于LC滤波器、定时电路、振荡器负载电容匹配以及EMI抑制电路中。在射频模块中，虽然不是首选用于谐振回路（因其Q值较低），但常被用作偏置网络的旁路电容或阻抗匹配网络中的固定电容元件。
　　得益于其小型化和高可靠性，HMJ316B7472KFHT也是消费类电子产品如智能手表、无线耳机、路由器、智能家居控制器等的理想选择。在这些设备中，它承担着去耦、滤波和信号完整性保障的关键角色，帮助实现高效能与低功耗的平衡。

GRM188R71H472KA01D
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　　C0603X7R1H472K