类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：50 mA
　　输入反向电压：6 V
　　输出耐压：80 V
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　隔离电压：5000 VRMS
　　封装形式：SMD-4
　　响应时间：3 μs (上升), 3 μs (下降)
　　集电极-发射极饱和电压：0.4 V（典型值）
　　最大功耗：200 mW

4N60KL-TN3-R的最显著特性之一是其高隔离电压能力，达到5000 VRMS，这使其能够在高压环境中有效防止噪声干扰和潜在的电气故障传播，保障系统的安全运行。该隔离性能特别适用于工业自动化设备、开关电源反馈回路以及医疗电子设备等对安全性要求极高的应用场合。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+110°C）使其不仅能在常温环境下稳定工作，还能适应极端高低温条件，增强了产品的环境适应性。
　　另一个关键特性是其优异的电流传输比（CTR），范围为50%到600%，这意味着即使在较低的输入驱动电流下，也能实现较强的输出信号响应，提高了电路设计的灵活性和能效表现。这一特性尤其有利于低功耗系统或使用微控制器直接驱动的应用，无需额外的放大电路即可完成信号传递任务。同时，CTR的老化稳定性较好，在长期使用过程中性能衰减较小，有助于延长设备使用寿命。
　　器件具有较快的响应时间，典型值为3微秒的上升和下降时间，虽然不及高速数字光耦，但对于大多数中速信号隔离需求已足够，例如继电器驱动、电源反馈控制和逻辑电平转换等应用场景。其输出端采用光电晶体管结构，支持直流和低频交流信号传输，具备较高的增益和负载驱动能力，可以直接驱动小型继电器或作为三极管开关使用。
　　SMD-4封装便于自动化贴片生产，提升了制造效率并降低了人工成本。整体结构设计优化了爬电距离和电气间隙，进一步增强了绝缘性能。此外，该器件具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在复杂电磁环境中保持信号完整性。由于其标准化参数和成熟工艺，4N60KL-TN3-R在全球范围内被广泛采用，供货稳定，性价比高，是工业级光耦中的主流选择之一。

4N60KL-TN3-R广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号安全地传递到初级侧控制器，防止高压窜入低压控制部分，提高电源系统的安全性与稳定性。在工业控制系统中，它常被用作PLC输入/输出模块的信号隔离元件，以消除现场传感器或执行器引入的地环路干扰和瞬态电压冲击。
　　该器件也适用于逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器等电力电子设备中，作为控制信号与功率部分之间的隔离接口。在通信接口电路中，如RS-232、RS-485等总线系统，4N60KL-TN3-R可用于实现主机与外部设备间的电气隔离，提升抗干扰能力和系统可靠性。
　　此外，它还可用于微处理器系统的I/O隔离、固态继电器（SSR）驱动电路、电池管理系统（BMS）中的信号隔离以及测试测量仪器中的前端保护电路。得益于其高隔离电压和良好的温度特性，该器件也被应用于医疗设备和汽车电子辅助系统中，满足严格的安规和可靠性要求。总之，凡是涉及高低压混合供电、远距离信号传输或存在强电磁干扰的场景，4N60KL-TN3-R都能发挥重要作用。

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　　 "H11AA1",
　　 "EL817",
　　 "PC817",
　　 "LTV-817",
　　 "TLP521"
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