时间：2025/11/4 12:01:47
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HMC966LP4E是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的高性能、宽带宽、砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专为毫米波频率范围内的应用而设计。该器件采用先进的GaAs技术制造，提供了卓越的增益、噪声系数和线性度性能，适用于要求严苛的通信系统、测试与测量设备以及雷达系统等场景。HMC966LP4E工作在高频段，典型应用频率范围可覆盖27 GHz至31 GHz，使其非常适合用于5G通信基础设施、点对点微波回传、卫星通信以及电子战系统中的前端接收链路。该芯片封装在一个紧凑的4引脚塑封SOT-89兼容封装中，便于集成到高密度射频电路板中，并具备良好的热稳定性和可靠性。其内部集成了输入输出匹配网络，减少了外部元件需求，简化了设计流程并提高了系统稳定性。此外，HMC966LP4E具有低功耗特性，在保证高性能的同时实现了能效优化，适合对功耗敏感的应用场合。由于其宽带操作能力和出色的动态范围表现，这款LNA被广泛应用于需要高灵敏度接收机前端的现代无线系统中。
工作频率范围：27 GHz 至 31 GHz
增益：约 20 dB
噪声系数：约 2.5 dB
输出P1dB（压缩点）：约 +10 dBm
OIP3（三阶交调截点）：约 +20 dBm
供电电压：+3.3 V 或 +5 V
静态电流：约 60 mA
封装类型：SOT-89 兼容 4引脚表贴封装
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HMC966LP4E作为一款毫米波低噪声放大器，具备优异的宽带增益平坦度和极低的噪声系数，能够在27 GHz至31 GHz频段内提供稳定的信号放大能力。其典型增益约为20 dB，且在整个带宽范围内保持良好的平坦度，确保了不同频率下的一致性响应，这对宽带通信系统的性能至关重要。该器件的噪声系数仅为约2.5 dB，显著提升了接收系统的灵敏度，使得微弱信号能够被有效捕捉和处理，尤其适用于远距离通信或低功率发射环境下的前端放大。
在动态性能方面，HMC966LP4E展现出优秀的线性度，输出P1dB压缩点可达+10 dBm，三阶交调截点（OIP3）高达+20 dBm，表明其在存在强干扰信号的情况下仍能保持较低的失真水平，避免非线性产物对接收通道造成影响。这一特性使其在多载波共存或高密度电磁环境中表现出色，例如在5G基站接收机或军用雷达系统中，能够有效抑制互调干扰，提升整体信噪比和系统容量。
该芯片支持+3.3 V或+5 V单电源供电，静态电流约为60 mA，兼顾了性能与功耗之间的平衡，适用于便携式设备或远程节点等对能耗有严格要求的应用场景。其集成化的输入输出阻抗匹配网络降低了对外部匹配元件的依赖，简化了PCB布局设计，缩短了产品开发周期，并减少了因离散元件带来的不确定性。此外，SOT-89兼容的小型化封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于维持长时间工作的稳定性。
HMC966LP4E采用GaAs MMIC工艺制造，具备出色的抗辐射能力和温度稳定性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内可靠运行，适用于恶劣环境下的部署。该器件无需外部隔直电容即可实现交流耦合功能，进一步简化了外围电路结构。总体而言，HMC966LP4E以其高频宽带、低噪声、高线性度和易集成的特点，成为毫米波射频前端设计的理想选择之一。
HMC966LP4E主要用于毫米波频段的无线通信系统，包括5G NR n257/n258/n261频段的基站和用户终端设备，用于增强接收链路的灵敏度与稳定性。此外，它也广泛应用于点对点微波通信链路、卫星通信地面站、高性能测试仪器如频谱分析仪和信号发生器的前端模块，以及相控阵雷达、电子侦察和对抗系统等国防电子领域。其高集成度和宽带特性使其成为毫米波电路设计中的关键组件。
HMC967LP4E,HMC965LP4E
