时间：2025/6/30 9:34:02
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HMC834LP6GE 是一款高性能的 GaAs MMIC 低噪声放大器（LNA），采用塑料封装，适用于高频射频应用。该器件在 2 至 18 GHz 的宽频率范围内工作，具有出色的增益和噪声系数特性。其高线性度和小尺寸设计使其成为点对点无线电、VSAT 和测试设备的理想选择。
这款芯片内置偏置电路，简化了设计并提高了稳定性，同时支持单电源供电，从而减少了外部元件的需求。HMC834LP6GE 使用 6 引脚塑封 QFN 封装，适合表面贴装技术（SMT）。
频率范围：2 GHz 至 18 GHz
增益：17.5 dB
噪声系数：1.9 dB
输入回波损耗：12 dB
输出回波损耗：10 dB
电源电压：+5 V
静态电流：110 mA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：6 引脚 LP6G QFN
HMC834LP6GE 在高频段表现出色，具备以下特点：
1. 宽带操作：覆盖 2 至 18 GHz 的频率范围，满足多种无线通信需求。
2. 高增益与低噪声：提供高达 17.5 dB 的增益，同时保持低于 1.9 dB 的噪声系数。
3. 内部匹配网络：优化的输入/输出匹配减少了对外部元件的依赖。
4. 单电源供电：仅需一个 +5V 电源即可运行，简化了电源设计。
5. 紧凑型封装：采用 6 引脚 QFN 封装，节省空间且兼容 SMT 技术。
6. 稳定性：内置偏置电路确保器件在整个温度和工艺变化范围内稳定工作。
HMC834LP6GE 广泛应用于以下领域：
1. 微波点对点无线电系统。
2. VSAT（甚小口径终端）通信设备。
3. 测试与测量仪器中的高频信号放大。
4. 军事和航空航天应用中的雷达和电子战系统。
5. 5G 和其他宽带通信基础设施。
6. 光纤通信链路中的射频前端模块。
HMC835LP6GE
