时间：2025/4/29 19:37:42
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HMC833LP6GETR 是一款由 Analog Devices 提供的高性能、宽带 GaAs pHEMT MMIC 放大器，采用紧凑型 6 引脚 LLP 封装。该芯片具有卓越的增益和低噪声性能，适合用于测试设备、军事雷达系统、卫星通信以及微波无线电等多种应用。
这款放大器能够在 2 至 20 GHz 的频率范围内工作，并提供出色的线性度和稳定性。由于其高增益和宽频带特性，HMC833LP6GETR 在各种射频和微波应用中表现出色。
型号：HMC833LP6GETR
封装：6 引脚 LLP
频率范围：2 GHz 至 20 GHz
增益：14 dB 典型值
噪声系数：3.5 dB 典型值
输出功率（1 dB 压缩点）：+17 dBm 典型值
P1dB（输出 1 dB 压缩点）：+17 dBm
饱和输出功率：+20 dBm
电源电压：+5 V
电流消耗：90 mA 典型值
HMC833LP6GETR 的主要特点是其超宽带覆盖能力，适用于从 S 波段到 K 波段的多种无线电信号处理任务。
它在高频条件下仍能保持稳定的增益和较低的噪声性能。
此外，内置匹配电路简化了设计过程，无需额外的外部元件即可实现 50 Ω 系统的高效集成。
该器件还具有优异的回波损耗性能，从而减少了信号反射并提高了整体系统效率。
HMC833LP6GETR 的小型化设计使其非常适合空间受限的应用场景。
HMC833LP6GETR 被广泛应用于各种需要高性能射频放大的领域，包括：
1. 军事雷达系统中的信号增强与处理。
2. 卫星通信链路中的上行/下行信号放大。
3. 测试测量设备中对复杂信号的精确放大。
4. 微波无线电通信系统中的中继与传输。
5. 医疗成像设备中的高频信号增强。
6. 高速数据传输系统的射频前端模块。
HMC833A, HMC833LP6E
