制造商：Analog Devices
　　产品系列：HMC
　　类型：固定频率晶体振荡器（XO）
　　输出频率：3 GHz
　　输出逻辑类型：CMOS
　　供电电压：3.3 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：3 mm × 3 mm LC3B（无引线陶瓷封装）
　　相位噪声 @ 10 kHz offset：典型值 -155 dBc/Hz
　　相位噪声 @ 100 kHz offset：典型值 -165 dBc/Hz
　　老化率：±1 ppm/年
　　频率稳定性：±100 ppm
　　上升时间 / 下降时间：典型值 < 200 ps
　　输出负载能力：15 pF || 50 Ω

HMC773ALC3B具备卓越的相位噪声性能，这是其最显著的技术优势之一。在3 GHz输出频率下，该器件在10 kHz频偏处的典型相位噪声可达-155 dBc/Hz，在100 kHz频偏处更可低至-165 dBc/Hz。这一级别的相位噪声表现远超传统VCO搭配外部晶体参考的设计，尤其适用于高阶调制通信系统（如QAM-1024及以上）、相干光通信前端以及时域反射测量仪器等对本振纯净度要求极高的场合。低相位噪声有助于降低误码率、提升接收机灵敏度，并增强雷达系统的多普勒分辨能力。
　　该器件采用了高度集成的架构，内部包含低噪声压控晶体振荡器（VCXO）、多级锁相环（PLL）倍频器以及输出缓冲驱动电路。整个频率合成路径经过优化设计，最大限度地抑制了电源噪声、热漂移和外部干扰的影响。其内置的自动校准机制可在上电过程中动态调整环路参数，确保每次启动都能快速锁定并输出稳定频率，避免长时间的频率建立延迟。
　　HMC773ALC3B还具备优异的电源抑制比（PSRR），能够在供电电压波动或存在纹波的情况下维持频率输出的稳定性。这对于部署在复杂电磁环境中的系统尤为重要，例如基站射频单元或多通道MIMO收发模块。此外，该器件的输出驱动能力经过强化，能够直接驱动50 Ω传输线或高输入电容的ADC/DAC采样时钟输入端，无需额外添加放大或整形电路，从而节省PCB面积并降低整体功耗。
　　在可靠性方面，HMC773ALC3B采用陶瓷封装工艺，具备良好的气密性和抗湿性，可在恶劣工业环境下长期稳定运行。其老化率控制在±1 ppm每年以内，保证了设备在整个生命周期内的频率准确性，减少了定期校准的需求。同时，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

HMC773ALC3B广泛应用于对时钟性能要求极高的高端射频和微波系统中。其中一个主要应用场景是毫米波通信系统，尤其是在E-band（71–76 GHz和81–86 GHz）回传链路和5G NR FR2频段（24 GHz以上）的射频前端中，作为本地振荡器（LO）的参考时钟源。由于这些系统通常采用外差或谐波混频结构，需要一个极高稳定性的基带时钟来生成高频LO信号，HMC773ALC3B凭借其3 GHz低噪声输出成为理想选择。
　　在测试与测量领域，该器件常用于高性能示波器、频谱分析仪和矢量网络分析仪中，为采样时钟和扫描时序提供精准基准。在这些仪器中，时钟抖动直接影响测量分辨率和动态范围，而HMC773ALC3B的超低相位噪声可将有效位数（ENOB）提升至14位以上，满足高精度模拟信号采集需求。
　　此外，HMC773ALC3B也适用于相控阵雷达和电子战系统中的同步时钟分发网络。在多通道T/R模块中，所有通道必须共享同一个低抖动时钟源以实现相干波束成形，该器件可通过扇出缓冲器为多个通道提供同步时钟，确保空间指向精度和旁瓣抑制水平。
　　其他应用还包括高速数据转换器（如12 GSPS以上的ADC/DAC）的采样时钟驱动、光纤通信中的时钟恢复电路辅助源，以及卫星通信地面站的上变频/下变频本振参考。其紧凑封装和单电源工作特性使其非常适合空间受限的嵌入式系统和便携式仪器设计。

HMC774ALC3B
　　HMC1042LP4E
　　LTC6908-3