HMC753LP4E是一款由Analog Devices公司生产的GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)。该器件设计用于需要高增益、低噪声和宽带宽的应用,工作频率范围为1至20 GHz。其紧凑的4x4 mm QFN封装形式使其适合于空间受限的设计环境。
该放大器采用+4V电源供电,静态电流约为85mA,并且具有出色的线性度性能,能够支持各种射频和微波应用,例如测试设备、点对点无线电以及军事雷达系统等。
频率范围:1至20 GHz
增益:17 dB
噪声系数:1.5 dB
P1dB压缩点:+22 dBm
三阶交调截点(IP3):+37 dBm
电源电压:+4 V
静态电流:85 mA
封装形式:4x4 mm QFN
HMC753LP4E具备以下显著特点:
1. 极宽的工作频率范围,从1 GHz到20 GHz,适用于多种高频场景。
2. 优异的增益表现,典型值为17 dB,确保信号强度。
3. 噪声系数仅为1.5 dB,在接收链路中提供了极佳的灵敏度。
4. 线性度优秀,P1dB达到+22 dBm,IP3高达+37 dBm,满足复杂信号处理需求。
5. 节省空间的4x4 mm QFN封装,易于集成进小型化设计。
6. 单一+4V电源供电,简化了电路设计并降低了功耗。
这款芯片主要应用于以下领域:
1. 军事通信与雷达系统中的高性能信号接收前端。
2. 测试与测量仪器,如频谱分析仪和网络分析仪。
3. 点对点无线电通信,特别是高带宽数据传输链路。
4. 卫星通信和地面站接收设备。
5. 光纤通信系统的射频驱动模块。
6. 各种无线基础设施,包括基站和远程射频单元。
HMC754LP4E,HMC760LP4E