您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HMC753LP4E

HMC753LP4E 发布时间 时间:2025/5/29 11:04:52 查看 阅读:8

HMC753LP4E是一款由Analog Devices公司生产的GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)。该器件设计用于需要高增益、低噪声和宽带宽的应用,工作频率范围为1至20 GHz。其紧凑的4x4 mm QFN封装形式使其适合于空间受限的设计环境。
  该放大器采用+4V电源供电,静态电流约为85mA,并且具有出色的线性度性能,能够支持各种射频和微波应用,例如测试设备、点对点无线电以及军事雷达系统等。

参数

频率范围:1至20 GHz
  增益:17 dB
  噪声系数:1.5 dB
  P1dB压缩点:+22 dBm
  三阶交调截点(IP3):+37 dBm
  电源电压:+4 V
  静态电流:85 mA
  封装形式:4x4 mm QFN

特性

HMC753LP4E具备以下显著特点:
  1. 极宽的工作频率范围,从1 GHz到20 GHz,适用于多种高频场景。
  2. 优异的增益表现,典型值为17 dB,确保信号强度。
  3. 噪声系数仅为1.5 dB,在接收链路中提供了极佳的灵敏度。
  4. 线性度优秀,P1dB达到+22 dBm,IP3高达+37 dBm,满足复杂信号处理需求。
  5. 节省空间的4x4 mm QFN封装,易于集成进小型化设计。
  6. 单一+4V电源供电,简化了电路设计并降低了功耗。

应用

这款芯片主要应用于以下领域:
  1. 军事通信与雷达系统中的高性能信号接收前端。
  2. 测试与测量仪器,如频谱分析仪和网络分析仪。
  3. 点对点无线电通信,特别是高带宽数据传输链路。
  4. 卫星通信和地面站接收设备。
  5. 光纤通信系统的射频驱动模块。
  6. 各种无线基础设施,包括基站和远程射频单元。

替代型号

HMC754LP4E,HMC760LP4E

HMC753LP4E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HMC753LP4E资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HMC753LP4E参数

  • 标准包装1
  • 类别RF/IF 和 RFID
  • 家庭RF 放大器
  • 系列-
  • 频率1GHz ~ 11GHz
  • P1dB15dBm
  • 增益14dB
  • 噪音数据2dB
  • RF 型通用
  • 电源电压5V
  • 电流 - 电源55mA
  • 测试频率-
  • 封装/外壳24-VFQFN 裸露焊盘
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称1127-1068-6