HMC717ALP3ETR是Analog Devices公司的一款高性能低噪声放大器(LNA),采用GaAs pHEMT工艺制造。该器件具有高增益、低噪声系数和出色的线性度,适合用于无线通信系统中的射频前端应用。
该芯片的工作频率范围为2至4 GHz,非常适合蜂窝通信、点对点无线电、VSAT以及测试设备等应用场合。其紧凑的3x3mm QFN封装形式使其易于集成到空间受限的设计中。
工作频率范围:2 GHz 至 4 GHz
增益:18 dB 典型值
噪声系数:0.9 dB 典型值
P1dB输出功率:+20.5 dBm 典型值
输入回波损耗:16 dB 典型值
输出回波损耗:14 dB 典型值
电源电压:5 V
电流消耗:70 mA 典型值
HMC717ALP3ETR的主要特性包括高增益和低噪声系数,这使得它在接收机链路中能够有效地提升信号强度同时保持良好的信噪比。此外,该器件还具有较高的线性度,能减少因信号失真而引起的干扰。它内置有源偏置电路,确保增益和匹配性能的一致性不受温度和电压变化的影响。
由于采用了表面贴装技术(SMT)封装,这款放大器可以简化PCB设计并降低整体解决方案的成本。
HMC717ALP3ETR无需外部匹配组件即可实现最佳性能,进一步简化了设计流程,并缩短了产品上市时间。
HMC717ALP3ETR适用于多种射频和微波应用领域,如:
蜂窝通信基础设施中的基站收发信机
点对点和点对多点无线电通信系统
卫星通信终端,例如甚小孔径终端(VSAT)
测试与测量设备中的信号增强模块
其他需要高动态范围和低噪声放大功能的无线系统
HMC717LP3E
HMC717