制造商：Analog Devices
　　产品系列：HMC
　　零件状态：活跃
　　频率范围：DC ~ 6 GHz
　　增益：17.2 dB（典型值）
　　增益平坦度：±0.5 dB（在2 GHz以下），±0.8 dB（全频段）
　　噪声系数：2.6 dB（典型值，在2 GHz时）
　　输出P3dB：+19 dBm（典型值，在2 GHz时）
　　输出IP3（OIP3）：+32 dBm（典型值，在2 GHz时）
　　输入回波损耗：-10 dB（典型值，2 GHz）
　　输出回波损耗：-12 dB（典型值，2 GHz）
　　工作电压：5 V（典型值）
　　工作电流：可调，典型设置为120 mA
　　功耗：约600 mW
　　封装/外壳：5引脚陶瓷SMT（LP5E）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C

HMC584LP5E的核心特性之一是其卓越的宽带性能，能够在从直流到6 GHz的宽频率范围内保持稳定的增益响应。这种宽带能力使其非常适合用于多频段射频前端、宽带接收机和通用信号链中的增益模块。该器件采用InGaP HBT（异质结双极晶体管）工艺，不仅提供了高增益和高线性度，还显著降低了热漂移对性能的影响，从而确保在不同温度条件下仍能维持一致的电气特性。
　　HMC584LP5E具备优异的三阶交调截点（OIP3），高达+32 dBm，表明其在处理高功率或多载波信号时具有很强的抗干扰能力，能够有效减少非线性失真，提升系统整体的动态范围。这对于现代通信系统，尤其是LTE、5G和微波点对点链路等高密度调制格式的应用至关重要。同时，其噪声系数仅为2.6 dB，保证了在低电平信号放大过程中不会显著劣化信噪比，有助于提高接收灵敏度。
　　该放大器的输入和输出端口均经过优化设计，具备良好的回波损耗，分别达到-10 dB和-12 dB以上，减少了因阻抗失配引起的信号反射，提升了系统匹配效率，尤其适用于50欧姆标准射频系统的集成。此外，HMC584LP5E支持通过外部电阻调节偏置电流，允许用户根据具体应用场景在功耗与性能之间进行权衡，例如在电池供电或散热受限的系统中降低电流以节省能耗。
　　封装方面，LP5E是一种小型化陶瓷表面贴装封装，具有优良的热导性和高频性能，适合高频电路板布局，并支持自动化贴片生产。该器件符合RoHS环保标准，且无需外部隔直电容即可实现直流耦合操作（取决于配置），进一步简化了外围电路设计。整体而言，HMC584LP5E以其高集成度、高可靠性及灵活的可配置性，成为高端射频系统中理想的增益构建模块。

HMC584LP5E广泛应用于各类高性能射频和微波系统中。在无线通信基础设施领域，它常被用作基站接收机前端的低噪声放大器（LNA）或中频放大器，支持多频段信号处理，适用于2G、3G、4G LTE乃至5G NR的分布式单元和射频拉远单元（RRU）。由于其宽频带和高线性度特性，该器件也常见于测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，作为内部信号路径的增益级，确保测试结果的准确性与一致性。
　　在国防与航空航天领域，HMC584LP5E可用于雷达系统、电子战（EW）设备和卫星通信终端，承担高频信号的放大任务。其坚固的陶瓷封装和宽温工作能力使其适应机载、舰载或野外部署等恶劣环境。此外，在光纤传输系统、有线电视（CATV）基础设施以及高速数据链路中，该放大器也可用于补偿传输损耗，提升信号完整性。
　　科研与工业设备中，例如粒子加速器控制系统、遥感设备或精密传感器接口，HMC584LP5E同样发挥着关键作用。其低噪声和高稳定性特点满足了高精度模拟信号链的需求。总之，凡是需要在宽频率范围内实现高增益、低失真和高可靠放大的场合，HMC584LP5E都是一个极具竞争力的选择。

HMC582LP5E
　　HMC630ALP5E
　　HMC318MS8GE
　　ADL5521
　　LMH6401