HMC493LP3ETR是一款由Analog Devices公司生产的高线性度、低噪声的射频放大器芯片。该芯片主要应用于无线通信系统,具有出色的增益平坦度和低功耗特性,适用于点对点无线电、蜂窝基础设施以及测试测量设备等场景。
HMC493LP3ETR采用GaAs pHEMT工艺制造,能够在宽广的频率范围内提供稳定的性能表现。其封装形式为3x3mm QFN,适合紧凑型设计需求。
频率范围:DC至28GHz
增益:15dB(典型值)
输出IP3:+36dBm(典型值)
P1dB压缩点:+17dBm(典型值)
噪声系数:3.0dB(典型值)
电源电压:+5V
工作温度范围:-40℃至+85℃
封装形式:3x3mm QFN
HMC493LP3ETR的主要特性包括:
1. 高线性度,能够满足高性能射频系统的严格要求。
2. 宽带操作能力,支持从DC到28GHz的频率范围,覆盖多种无线通信应用。
3. 低噪声设计,确保在高灵敏度接收机中保持优异的信号质量。
4. 小尺寸封装,便于在空间受限的应用中使用。
5. 单电源供电,简化了电路设计并降低了整体功耗。
6. 出色的增益平坦度,减少了额外的校准或补偿需求。
7. 高可靠性,在工业级温度范围内表现出稳定的工作性能。
HMC493LP3ETR广泛应用于以下领域:
1. 点对点微波无线电通信系统。
2. 蜂窝基站及无线基础设施中的射频前端模块。
3. 测试与测量设备,例如频谱分析仪、网络分析仪等。
4. 军事雷达和卫星通信系统。
5. 医疗成像设备以及其他需要高性能射频放大的应用场景。
HMC494LP3E,HMC495LP3E