时间：2025/9/4 1:11:17
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HMC440QS16GE 是 Analog Devices（亚德诺半导体）旗下 Hittite Microwave（Hittite 微波）产品线中的一款高性能 GaAs MMIC（砷化镓单片微波集成电路）低噪声放大器（LNA）。该器件专为工作在高频段（例如微波和射频应用）而设计，具有出色的低噪声系数和高增益特性，适用于需要高灵敏度和低相位噪声的通信和测试设备。HMC440QS16GE 采用 16 引脚 TSSOP 封装，便于集成在射频前端模块中。
频率范围：0.1 GHz - 4 GHz
工作电压：5 V
工作电流：65 mA
增益：18 dB
噪声系数：1.5 dB
输出 IP3：+25 dBm
输入回波损耗：12 dB
输出回波损耗：10 dB
封装类型：16 引脚 TSSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HMC440QS16GE 的核心特性在于其宽频带操作能力，覆盖从 100 MHz 到 4 GHz 的频率范围，使其适用于多种射频和微波应用。该器件采用 GaAs 工艺制造，确保了在高频下仍能保持优异的噪声性能和稳定性。其低噪声系数为 1.5 dB，适合用于接收机前端以提高信号灵敏度。
该放大器提供高达 18 dB 的小信号增益，确保了微弱信号的有效放大。同时，其输出三阶交调截距（IP3）为 +25 dBm，表明其在高功率信号环境下的线性度表现良好，适用于多载波系统和高动态范围应用。
器件的输入和输出回波损耗分别为 12 dB 和 10 dB，表明其具备良好的阻抗匹配性能，有助于减少信号反射并提高整体系统效率。HMC440QS16GE 采用 5 V 单电源供电，工作电流仅为 65 mA，功耗较低，适用于便携式或电池供电设备。
此外，该芯片具有宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保其在工业和通信设备中的可靠运行。
HMC440QS16GE 主要用于高性能射频和微波接收系统，如无线通信基站、卫星通信系统、测试与测量仪器、频谱分析仪和信号发生器等。其宽频带特性也使其适用于多频段或多标准通信设备，例如 WiMAX、LTE 和 5G 前端模块。在雷达和军事通信系统中，该器件可用于提升接收机的灵敏度和抗干扰能力。此外，由于其低功耗设计，HMC440QS16GE 也可用于便携式射频测试设备和远程传感装置。
HMC715LC5BTR-R5、HMC513LC4BTR-R5、HMC461MS8GE
