制造商：Analog Devices
　　系列：Hittite
　　零件状态：活跃
　　频率范围：DC 至 20 GHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　噪声系数：约 4.5 dB（典型值）
　　输出P1dB：约 +17 dBm（典型值）
　　OIP3（输出三阶截距点）：约 +30 dBm（典型值）
　　工作电压：+5 V（典型值）
　　静态电流：可调，典型为 120 mA
　　封装类型：6引脚SMT（如SC-79或类似微型封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
　　回波损耗：输入 >15 dB，输出 >15 dB（典型）

HMC313E具备卓越的宽带放大能力，能够在从直流到20 GHz的极宽频率范围内实现稳定且平坦的增益响应。这种宽带特性使其非常适合用于多频段通信系统和宽带信号处理应用，无需额外的调谐电路即可覆盖多个标准频段。该芯片采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，确保了高电子迁移率和优异的高频性能，从而在毫米波频段仍能保持良好的增益和线性度。其典型小信号增益为18 dB，在整个工作频带内波动小于±1.5 dB，展现出出色的频率一致性。同时，HMC313E具有较低的噪声系数，典型值仅为4.5 dB，这有助于提高接收机系统的信噪比，特别是在弱信号接收场景下表现突出。
　　HMC313E的线性性能同样出色，输出三阶截距点（OIP3）高达+30 dBm，表明其在处理高功率或多载波信号时能有效抑制互调失真，适用于高动态范围的应用场合。输出压缩点P1dB约为+17 dBm，意味着它可以驱动后续级联电路而不会引入显著非线性失真。该器件还具备可调节的偏置功能，通过外部电阻控制偏置电流，使设计工程师可以根据具体应用需求在功耗和性能之间进行权衡，例如在电池供电系统中降低电流以延长续航时间，或在固定基站中提高电流以增强线性度。
　　封装方面，HMC313E采用小型化表面贴装封装（如SC-79），占用PCB面积小，便于在紧凑空间内部署。其输入和输出端口均设计为50欧姆阻抗匹配，简化了与外围射频电路的连接，减少了额外匹配网络的设计复杂度。此外，该器件具有良好的温度稳定性，在-40°C至+85°C的工业温度范围内性能变化极小，适用于户外基站、航空航天及军事装备等恶劣环境。内置的ESD保护结构也增强了器件的可靠性，防止静电损伤。总体而言，HMC313E是一款集宽带、低噪、高线性与易集成于一体的高性能射频放大器，适用于现代高频系统的严苛要求。

HMC313E广泛应用于需要宽带、低噪声和高线性度放大的高频系统中。在5G无线通信基础设施中，它常被用作毫米波频段的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，用于增强微弱接收信号或驱动混频器和变频模块。其宽频带特性使其适用于支持多个频段的通用射频前端设计，减少不同型号间的硬件差异，提升系统兼容性。在点对点微波回传链路中，HMC313E可用于中频或射频放大级，保障长距离传输中的信号完整性。测试与测量仪器如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪也常采用此类高性能放大器作为内部信号调理单元，以确保测量精度和动态范围。
　　在国防和航空航天领域，HMC313E可用于雷达前端、电子战系统和卫星通信终端，其高OIP3和稳定增益有助于处理复杂的调制信号和多普勒回波信号。此外，该器件也可用于高速数据通信系统，如光纤通信中的电光调制驱动电路，或毫米波成像系统中的信号预处理模块。科研实验平台中，HMC313E常作为参考放大器用于验证新型天线阵列或波束成形技术的性能。由于其易于集成和稳定的电气特性，HMC313E也成为许多射频评估板和开发套件的核心元件，帮助工程师快速完成原型验证和系统调试。总之，凡涉及高频、宽带、低失真的模拟信号放大需求，HMC313E都是一个可靠且高效的选择。

HMC314E
　　HMC425A
　　HMC585LC4B