时间：2025/6/22 0:41:20
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HMC311LP3E是一款由Analog Devices公司生产的单刀双掷(SPDT)开关芯片。该芯片基于砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺制造，具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度特点。它采用了微型3x3 mm QFN封装形式，适合于各种射频和微波应用场合。其工作电压范围为2.7V至5.5V，并且能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行。
类型：SPDT开关
工作频率：DC 至 18 GHz
插入损耗：0.6 dB（典型值，在10GHz时）
隔离度：34 dB（最小值，在10GHz时）
VSWR：1.2:1（典型值）
电源电压：2.7 V 至 5.5 V
控制电压：0/3.3 V或0/5 V
静态电流：约3 mA（每个FET在导通状态下的典型值）
封装形式：3x3 mm QFN
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HMC311LP3E具备极低的插入损耗和高隔离性能，能够保证信号传输质量。
其工作频率覆盖从直流到18GHz，非常适合用于高频和宽带射频系统。
采用pHEMT技术制造，确保了器件拥有较低的功率消耗和较高的可靠性。
支持多种供电电压范围（2.7V-5.5V），增强了设计灵活性。
此外，该芯片具有良好的线性度，适用于要求严格的应用环境，例如测试测量设备、点对点无线电通信以及军事雷达系统等。
芯片体积小巧，使用3x3mm QFN封装，有助于减少PCB空间占用并简化布局设计。
HMC311LP3E广泛应用于射频和微波通信领域，具体包括但不限于：
蜂窝通信基础设施中的收发器开关功能。
点对点无线通信链路中信号路径切换。
军事雷达系统的快速信号切换需求。
测试与测量仪器内部信号路由管理。
卫星通信终端内不同频率段信号处理。
其他需要高性能射频开关的场景，如工业自动化和医疗成像设备。
HMC312LP3E,HMC313LP3E
