时间：2025/6/6 16:20:09
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HMC284AMS8GETR 是一款由 Hittite (现隶属于 Analog Devices) 生产的单刀双掷 (SPDT) 开关芯片，采用 GaAs 工艺制造。该器件专为 RF 和微波应用设计，能够在高达 18 GHz 的频率范围内提供卓越的射频性能。
这款开关通过正控方式实现快速切换，并且具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度特性。它采用紧凑型 MSOP-8 封装，非常适合空间受限的应用环境。
类型：RF SPDT 开关
频率范围：DC 至 18 GHz
插入损耗：0.6 dB（典型值，在 10 GHz 下）
隔离度：25 dB（典型值，在 10 GHz 下）
VSWR：1.5:1（典型值）
控制电压：+5V 或 +3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：MSOP-8
HMC284AMS8GETR 提供了多种优越的性能特点。首先，其超宽带宽支持从直流到 18 GHz 的应用，适用于通信、测试测量以及军事雷达系统等高频场景。
其次，它的低插入损耗保证了信号传输过程中的高效能量转换，而高隔离度则有效防止了不同路径之间的干扰。此外，该器件还具备良好的线性度，确保在大信号条件下也能维持稳定的工作状态。
最后，由于采用了小型化封装设计，使得该芯片非常适合需要高密度集成的设计方案。
HMC284AMS8GETR 广泛应用于各种需要高性能 RF 开关的领域。其中包括但不限于：
- 无线通信基础设施，如基站收发器中的信号路由
- 测试与测量设备，例如矢量网络分析仪和频谱分析仪中的信号选择
- 军事及航空航天领域的雷达系统和电子战平台
- 微波点对点链路和卫星通信系统的信号切换功能
凭借其优异的电气特性和机械可靠性，这款芯片成为众多高频应用的理想选择。
HMC284LP3E, HMC284LC3C
