P2NA60是一款常见的功率MOSFET晶体管,广泛用于电源管理、开关电路以及功率放大器等应用中。该器件采用N沟道增强型结构,具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。由于其优良的性能,P2NA60适用于各种高频率和高效率的开关电源设计中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):2A
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω(典型值)
栅极电压(Vgs):±20V
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
P2NA60具有多项优良特性,首先是其高耐压能力,漏源电压可达到600V,使其适用于高压开关电路。其次,该MOSFET具有较低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,P2NA60具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力,可在高温环境下稳定工作。
该器件的开关速度较快,适用于高频开关应用,有助于减小电源电路的体积并提高响应速度。同时,P2NA60的栅极电压容限为±20V,具备一定的过压保护能力,提高了系统的可靠性。
在封装方面,P2NA60采用标准的TO-220封装,便于安装和散热,适用于各种通用和工业级应用。
P2NA60主要应用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、充电器以及各种功率开关控制场合。由于其高耐压和低导通电阻的特性,也广泛用于消费类电子产品和工业设备中的电源管理模块。
FQP2N60C, IRF630, STP2NA60, 2SK2141