制造商：Analog Devices
　　系列：HMC
　　零件状态：活跃
　　频率范围：1.2 GHz 至 3.0 GHz
　　增益：20 dB（典型值）
　　噪声系数：1.6 dB（典型值）
　　输出P1dB：+17 dBm（典型值）
　　OIP3（三阶交调点）：+30 dBm（典型值）
　　工作电压：+5 V
　　静态电流：85 mA（典型值）
　　封装：10-VFQFN 裸焊盘
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HMC273MS10GETR具备多项关键特性，使其成为高频射频系统中理想的增益模块选择。首先，该器件在1.2 GHz至3.0 GHz的宽频带内提供高达20 dB的稳定增益，并且增益平坦度控制在±0.5 dB以内，确保在整个操作频率范围内信号幅度的一致性，这对于宽带通信系统至关重要。其次，其低噪声系数仅为1.6 dB（典型值），显著提升了接收机前端的灵敏度，尤其适用于弱信号放大场景，如卫星通信或远程雷达系统。
　　该放大器采用GaAs pHEMT工艺，不仅实现了高电子迁移率，还带来了优异的线性性能。其输出三阶交调点（OIP3）高达+30 dBm，表明其在处理高功率或多载波信号时具有极强的抗干扰能力，能够有效抑制互调失真，保障信号完整性。同时，输出压缩点P1dB达到+17 dBm，说明该器件能够在较高输出功率下仍保持线性工作状态，适用于需要驱动后续混频器或ADC的应用。
　　输入和输出端口均内置直流阻隔电容，并集成了片上匹配网络，使得用户无需复杂的外部匹配电路即可实现50欧姆系统的良好驻波比，典型输入/输出回波损耗优于15 dB。这大大降低了设计难度，缩短了开发周期，并减少了PCB面积占用。此外，HMC273MS10GETR支持单电源+5V供电，静态电流约为85 mA，功耗适中，在性能与能耗之间取得了良好平衡。
　　封装方面，其10引脚MS-10 QFN封装带有裸焊盘，有助于高效散热，提升器件在持续高负载下的可靠性。该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。整体而言，HMC273MS10GETR凭借其宽带宽、低噪声、高线性度和易于集成的特点，成为高性能射频系统中不可或缺的核心组件之一。

HMC273MS10GETR广泛应用于多种高性能射频和微波系统中。在无线通信基础设施领域，它常用于蜂窝基站的接收链路前端，作为低噪声放大器（LNA）或中频放大器，以增强接收到的微弱信号并提高系统信噪比。在点对点和点对多点微波回传系统中，该器件可用于本振（LO）信号缓冲或中频信号放大，确保本地振荡器信号纯净且具备足够的驱动能力。
　　在测试与测量设备中，例如频谱分析仪、信号发生器或网络分析仪，HMC273MS10GETR可作为内部信号路径中的增益模块，提供稳定、低失真的信号放大功能，保证仪器测量精度和动态范围。其高OIP3和低噪声特性特别适合用于高精度信号分析场合。
　　在国防与航空航天电子系统中，该芯片被应用于雷达前端、电子战（EW）系统和安全通信设备中，承担关键的信号调理任务。其宽频带响应能力和出色的温度稳定性使其能在复杂电磁环境下可靠运行。
　　此外，HMC273MS10GETR也适用于宽带数据采集系统、卫星通信终端、毫米波前端模块预驱级放大以及各类需要高线性度固定增益放大的射频子系统。由于其集成度高、外围简单，非常适合用于紧凑型模块化设计，如小型化射频收发器或集成式射频前端模块（FEM）。

HMC318MS10E,HMC460LC4B