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HMC241ALP3E 发布时间 时间:2025/5/9 12:20:44 查看 阅读:5

HMC241ALP3E是Analog Devices公司(ADI)推出的一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用塑料封装。该器件在微波频率范围内表现出优异的增益和噪声性能,非常适合用于点对点无线电、VSAT应用以及测试设备等场景。
  这款放大器内置匹配网络,能够简化设计并减少外部元件的需求。其卓越的线性度使其成为需要高动态范围的应用的理想选择。

参数

工作频率:8...12 GHz
  增益:15 dB
  噪声系数:1.9 dB
  输出1 dB压缩点:+20 dBm
  输入回波损耗:15 dB
  输出回波损耗:17 dB
  电源电压:+5 V
  静态电流:90 mA
  封装类型:SMT (3x3 mm LP)

特性

HMC241ALP3E具有宽频带操作能力,能够在8到12 GHz的频率范围内提供稳定的增益和低噪声性能。
  该芯片采用先进的GaAs工艺制造,确保了较高的可靠性和效率。
  内置的输入/输出匹配网络极大地方便了系统集成,同时减少了对外部元件的需求。
  此外,它还具备良好的线性度和高输出功率特性,从而支持各种复杂的射频应用。
  由于其低功耗设计,HMC241ALP3E特别适合于电池供电或对功耗敏感的设备中使用。

应用

HMC241ALP3E适用于多种射频和微波应用领域,包括但不限于:
  点对点无线电通信系统
  VSAT(甚小口径终端)系统
  测试与测量设备
  雷达系统
  卫星通信接收前端
  无线基础设施
  其高性能表现使其成为这些领域中的关键组件之一。

替代型号

HMC241MS8E

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HMC241ALP3E参数

  • 现有数量612现货
  • 价格1 : ¥90.47000带
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 射频类型WiMAX / WiBro
  • 拓扑吸收
  • 电路SP4T
  • 频率范围0Hz ~ 4GHz
  • 隔离32dB
  • 插损1.2dB
  • 测试频率4GHz
  • P1dB29dBm
  • IIP347dBm
  • 特性-
  • 阻抗50 欧姆
  • 电压 - 供电5V
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装16-QFN(3x3)