时间：2025/7/16 12:14:41
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HMC121C8是一款高性能的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)单刀双掷(SPDT)开关，工作频率范围为DC至20GHz。该器件采用符合RoHS标准的无铅4x4毫米QFN封装形式，具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度特点。由于其宽带特性，HMC121C8适用于多种射频和微波应用场合。
HMC121C8支持+5V单电源供电，并且具有极低的功耗，使其非常适合对效率和散热要求较高的系统设计。此外，它还具备卓越的耐用性和可靠性，在各种恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
类型：SPDT开关
工作电压：+5V
插入损耗：0.6dB（典型值，@10GHz）
隔离度：29dB（最小值，@10GHz）
回波损耗：17dB（最小值，@10GHz）
功率处理能力：33dBm（输入IP3，@1GHz）
带宽：DC至20GHz
封装形式：4x4mm QFN
工作温度范围：-40°C至+85°C
1. 极低的插入损耗和高隔离度，确保信号传输质量。
2. 宽广的工作频率范围，适合多种射频和微波应用。
3. +5V单电源供电简化了电路设计并降低了功耗。
4. 高线性度，能够承受较高的输入三阶截点(IP3)电平。
5. 小巧的4x4mm QFN封装节省空间，便于集成到紧凑型设备中。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
7. 出色的可靠性和耐用性，适应各种严苛环境条件。
1. 测试测量仪器中的信号切换。
2. 点对点和点对多点无线电通信系统。
3. 光纤通信基础设施中的信号路由。
4. 军用雷达和卫星通信系统。
5. 无线基站中的射频信号分配与控制。
6. 医疗成像设备中的高频信号处理。
7. 通用射频前端模块设计。
HMC1119LP4E, HMC1001LC4B
