时间：2025/6/4 9:24:20
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HMC1060LP3E 是一款由 Analog Devices (ADI) 公司推出的 GaAs MESFET 单刀双掷开关 (SPDT Switch)，采用 3x3 mm SMT 封装。该芯片设计用于射频和微波应用，工作频率范围为 DC 至 28 GHz，非常适合需要高性能、宽带宽和低插入损耗的应用场景。
该器件内置片内匹配电路，可简化外部设计，并且支持正极或负极控制电压，使得其在各种射频系统中具有高度灵活性。HMC1060LP3E 的高隔离度和低插入损耗特性使其成为测试设备、点对点无线电以及军事通信系统中的理想选择。
频率范围：DC 至 28 GHz
插入损耗：0.7 dB（典型值）
隔离度：25 dB（典型值）
回波损耗：15 dB（典型值）
输入功率（P1dB）：+26 dBm（典型值）
控制电压：+5V 或 -5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：3x3 mm LP3E 封装
HMC1060LP3E 提供了卓越的射频性能，包括低插入损耗和高隔离度，能够在广泛的频率范围内保持稳定的表现。
此外，这款 SPDT 开关采用了 GaAs MESFET 技术，确保了高线性度和大功率处理能力。它的宽带设计使其适用于多种射频和微波应用场景，同时内部匹配网络减少了对外部元件的需求，从而简化了设计流程。
HMC1060LP3E 支持双极性控制电压 (+5V 或 -5V)，为用户提供更多灵活性，并且其紧凑的封装尺寸有助于节省 PCB 空间。
HMC1060LP3E 主要应用于以下领域：
- 军事和航空航天通信系统
- 测试与测量设备
- 点对点和点对多点无线电
- 微波链路
- 光纤网络
- 工业科学医疗 (ISM) 应用
- 宽带基础设施设备
HMC1061LP3E,HMC-SW1060
