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HMC1060LP3E 发布时间 时间:2025/6/4 9:24:20 查看 阅读:7

HMC1060LP3E 是一款由 Analog Devices (ADI) 公司推出的 GaAs MESFET 单刀双掷开关 (SPDT Switch),采用 3x3 mm SMT 封装。该芯片设计用于射频和微波应用,工作频率范围为 DC 至 28 GHz,非常适合需要高性能、宽带宽和低插入损耗的应用场景。
  该器件内置片内匹配电路,可简化外部设计,并且支持正极或负极控制电压,使得其在各种射频系统中具有高度灵活性。HMC1060LP3E 的高隔离度和低插入损耗特性使其成为测试设备、点对点无线电以及军事通信系统中的理想选择。

参数

频率范围:DC 至 28 GHz
  插入损耗:0.7 dB(典型值)
  隔离度:25 dB(典型值)
  回波损耗:15 dB(典型值)
  输入功率(P1dB):+26 dBm(典型值)
  控制电压:+5V 或 -5V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:3x3 mm LP3E 封装

特性

HMC1060LP3E 提供了卓越的射频性能,包括低插入损耗和高隔离度,能够在广泛的频率范围内保持稳定的表现。
  此外,这款 SPDT 开关采用了 GaAs MESFET 技术,确保了高线性度和大功率处理能力。它的宽带设计使其适用于多种射频和微波应用场景,同时内部匹配网络减少了对外部元件的需求,从而简化了设计流程。
  HMC1060LP3E 支持双极性控制电压 (+5V 或 -5V),为用户提供更多灵活性,并且其紧凑的封装尺寸有助于节省 PCB 空间。

应用

HMC1060LP3E 主要应用于以下领域:
  - 军事和航空航天通信系统
  - 测试与测量设备
  - 点对点和点对多点无线电
  - 微波链路
  - 光纤网络
  - 工业科学医疗 (ISM) 应用
  - 宽带基础设施设备

替代型号

HMC1061LP3E,HMC-SW1060

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HMC1060LP3E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态停产
  • 输出配置
  • 输出类型可调式
  • 稳压器数4
  • 电压 - 输入(最大值)5.6V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)1.8V
  • 电压 - 输出(最大值)5.2V
  • 电压降(最大值)-
  • 电流 - 输出100mA,50mA,300mA,500mA
  • 电流 - 静态 (Iq)2.1 mA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR80dB ~ 52dB(1kHz ~ 10MHz)
  • 控制特性使能
  • 保护功能超温
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装16-QFN(3x3)