HMBT5551 时间：2025/9/3 17:16:24 阅读：24

HMBT5551 是一款常用的 NPN 型晶体管，广泛应用于开关和放大电路中。它是双极性晶体管（BJT）的一种，具备较高的电流增益和良好的开关性能。HMBT5551 的设计使其在低电压和中等功率应用中表现出色，是电子设计中常见的基础元件之一。

参数

类型：NPN 晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

HMBT5551 的最大集电极-发射极电压为 150 V，使其能够承受较高的电压应力，适用于需要一定电压耐受能力的电路。该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，适合中等电流的开关和放大应用。
　　其最大功耗为 300 mW，在标准封装下具有良好的散热性能。HMBT5551 的电流增益（hFE）范围为 110 至 800，根据不同的等级划分，提供了灵活的设计选择，适用于不同放大需求的电路。
　　频率响应方面，HMBT5551 的过渡频率（fT）为 100 MHz，表明它在高频应用中也能保持良好的性能，适用于开关速度较快的电路设计。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应不同的环境条件。HMBT5551 通常采用 TO-92 或 SOT-23 等常见封装形式，便于在各种电路板上安装和使用。
　　此外，HMBT5551 具有良好的可靠性和稳定性，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

应用

HMBT5551 常用于开关电路和放大电路中，例如在数字逻辑电路中作为开关元件，或在音频放大器中作为前置放大器。它也可以用于驱动继电器、LED 和其他负载的控制电路。由于其高电压耐受能力和中等电流处理能力，HMBT5551 适用于需要可靠性和稳定性的应用场景，如电源管理、传感器接口和自动化控制系统。