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HMBT1015BT1 发布时间 时间:2025/8/13 1:59:30 查看 阅读:28

HMBT1015BT1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件设计用于高频率和中等功率应用,广泛应用于放大器电路、开关电路以及各种通用电子设备中。HMBT1015BT1 采用 SOT-23 封装,具有体积小、功耗低、可靠性高等特点,适用于便携式设备和空间受限的设计。这款晶体管在工业控制、消费电子和通信设备中都有广泛应用。

参数

类型:NPN 双极性晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Pd):300 mW
  电流增益(hFE):110 - 800(根据不同等级)
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

HMBT1015BT1 是一款性能优异的 NPN 双极性晶体管,具有宽广的电流增益范围(hFE)和高频响应能力。其 hFE 值可以在 110 到 800 之间变化,具体取决于器件的等级(如BU、BL、BH等),这种灵活性使得该晶体管能够适应不同的电路设计需求。此外,HMBT1015BT1 的过渡频率(fT)高达 100 MHz,使其在高频放大和开关应用中表现出色。
  该晶体管的最大集电极电流为 100 mA,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 50 V,具备较强的耐压能力,适用于中等功率的应用场景。最大功耗为 300 mW,表明其在较小的封装下仍能处理相对较高的功率水平,适合在紧凑型设计中使用。
  由于采用 SOT-23 封装,HMBT1015BT1 具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动贴片工艺,便于在 PCB 上进行快速安装。此外,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,使其能够在广泛的环境条件下稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
  HMBT1015BT1 还具有低饱和电压(Vce(sat))特性,在导通状态下能够减少功耗,提高能效。这一特性使其非常适合用于开关电路,尤其是在需要高效能和低发热的应用中。

应用

HMBT1015BT1 主要用于中低功率的放大器和开关电路中,常见于消费电子、工业控制和通信设备中。在音频放大器中,它可以作为前置放大器或驱动级使用,提供良好的信号增益和稳定性。在数字电路中,HMBT1015BT1 常用于逻辑电平转换、缓冲器和开关控制电路,其高增益和快速响应能力使其能够高效地驱动 LED、继电器和小型电机等负载。
  此外,HMBT1015BT1 也广泛应用于电源管理电路中,如 DC-DC 转换器和负载开关。其低饱和电压特性有助于提高电源效率,减少热量产生,从而延长设备的使用寿命。在汽车电子中,该晶体管可用于传感器信号调理、照明控制和车载娱乐系统的音频放大电路。
  由于其 SOT-23 小型封装和良好的电气性能,HMBT1015BT1 也适用于便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和电源管理模块。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为工业自动化设备中控制电路的理想选择。

替代型号

BC817-25, 2N3904, PN2222A, MMBT3904

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