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HMA851S6CJR6N-XN 发布时间 时间:2025/7/22 11:06:51 查看 阅读:6

HMA851S6CJR6N-XN 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要用于工业、嵌入式系统、网络设备和高性能计算应用。该模块属于DDR4 SDRAM类型,采用SODIMM(小外形双列直插内存模块)封装形式,适合对内存带宽和容量有较高要求的系统。

参数

容量:64GB
  内存类型:DDR4 SDRAM
  模块类型:SODIMM
  频率:3200MHz
  电压:1.2V
  CL延迟:CL22
  数据宽度:64位
  错误检测:ECC支持(根据具体型号)
  工作温度范围:0°C至85°C

特性

HMA851S6CJR6N-XN 以其高性能和低功耗设计著称,适用于多种高端计算和存储应用。该模块采用先进的DDR4技术,提供了比前代DDR3更高的带宽和更低的功耗,适合在高密度内存环境中使用。此外,该模块的ECC(错误校正码)功能可以增强数据完整性,减少内存错误,提高系统的稳定性和可靠性。
  这款内存模块在工业和嵌入式应用中表现尤为出色,能够满足高负载和长时间运行的需求。其SODIMM封装形式使其非常适合用于空间受限的设备,如笔记本电脑、嵌入式主板和小型服务器。HMA851S6CJR6N-XN 的3200MHz频率提供了良好的内存带宽,有助于提高系统性能,尤其是在多任务处理和大数据处理场景中。此外,其1.2V的低电压设计不仅降低了功耗,还减少了热量生成,有助于延长设备的使用寿命。
  该模块的工作温度范围为0°C至85°C,使其能够在广泛的环境条件下稳定运行,适用于工业级应用。其CL22延迟值在DDR4内存中属于正常范围,能够在性能和延迟之间取得平衡。对于需要高内存容量和稳定性的应用,例如服务器、工作站和高性能计算系统,HMA851S6CJR6N-XN 是一个可靠的选择。

应用

HMA851S6CJR6N-XN 主要应用于需要高性能内存支持的设备和系统,包括工业计算机、嵌入式系统、网络设备(如路由器和交换机)、存储设备、工作站和服务器等。其高容量和低功耗特性也使其适用于高端笔记本电脑和小型服务器平台。

替代型号

HMA851S6CJR6N-XN 的替代型号包括 HMA851S6CJR6A-XN、HMA851S6CJR6N-LB、HMA851S6CJR6A-LB 等,这些型号在容量、频率和封装形式上相近,可根据具体应用需求进行选择。