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HMA451U6AFR8N-TF 发布时间 时间:2025/7/16 18:54:03 查看 阅读:7

HMA451U6AFR8N-TF 是由 Fujitsu(富士通)生产的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM),主要用于需要高速数据访问和可靠性的应用。该SRAM具有较大的存储容量,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等多种场景。

参数

类型:异步SRAM
  容量:512K x 16位(即总容量为8Mbit)
  电源电压:3.3V ± 10%
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大访问时间:55ns
  最大工作频率:约18MHz
  输入/输出电平:CMOS兼容
  封装尺寸:54-TSOP

特性

HMA451U6AFR8N-TF 具备多项显著特性,首先其异步设计使其在不需要精确时钟同步的情况下仍能保持稳定运行,从而简化了电路设计。此外,其高速访问时间为55ns,能够满足对数据读写速度要求较高的应用场景。
  该器件采用3.3V电源供电,并具备较低的功耗特性,适合便携式或对能耗敏感的应用。其宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C)也确保了其在恶劣环境中的稳定性,适用于工业级应用。
  封装形式为54-TSOP,体积小巧,便于集成到高密度PCB布局中。同时,其CMOS输入/输出电平兼容性使得它可以与多种控制器和处理器无缝连接,提升了系统的兼容性和灵活性。
  值得一提的是,HMA451U6AFR8N-TF 设计上具备高可靠性,在长期运行中表现出色,减少了系统故障的可能性,非常适合用于网络设备、嵌入式系统以及工业自动化等关键任务领域。

应用

HMA451U6AFR8N-TF 主要应用于需要快速数据存储和读取的场合,例如嵌入式控制系统、工业计算机、网络交换设备、路由器、测试测量仪器、图像处理模块以及各类手持式终端设备。由于其高可靠性和宽温工作能力,也非常适合在恶劣环境中运行的工业与通信设备中使用。

替代型号

IS61LV51216AL-55TFI, CY7C1041CV33-55ZSXI, IDT71V416SA55PFG