HM80N04K 时间：2025/12/24 12:25:24 阅读：22

HM80N04K 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。这款器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，从而提高效率并降低功耗。
　　该 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具有良好的散热性能，适合高功率应用场合。

参数

最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　持续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗（Ptot）：115W
　　结温范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
　　栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：90ns（典型值）

特性

1. 超低导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 高开关速度，适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制器。
　　3. 极低的栅极电荷 Qg 和反向恢复时间 trr，降低了开关损耗。
　　4. 提供过温保护功能，确保在极端条件下仍能安全运行。
　　5. 具有出色的雪崩耐量能力，能够在短路或异常情况下提供额外的保护。
　　6. 封装兼容性强，便于设计集成到各种工业及消费类电子设备中。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
　　2. 直流无刷电机驱动电路中的功率级开关。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
　　4. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
　　5. 通信设备中的高效电源转换模块。
　　6. 汽车电子领域内的逆变器、启动停止系统和其他功率管理单元。