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HM67A257JP-12 发布时间 时间:2025/9/6 20:14:46 查看 阅读:17

HM67A257JP-12是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速存储器解决方案的一部分。该器件采用异步设计,适用于需要快速数据访问和稳定性能的系统应用,如工业控制、通信设备和嵌入式系统等。

参数

容量:256Kbit(32K x 8)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  封装类型:44引脚塑料J型封装(PLCC)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  输入/输出逻辑电平:TTL兼容

特性

HM67A257JP-12是一款高性能的异步SRAM芯片,其主要特点在于其高速访问时间,仅为12纳秒,这使得它在需要快速响应的应用中表现出色。
  该芯片的工作电压范围较宽,支持2.3V至3.6V之间的电源供应,使其适用于多种电源环境,并能与不同逻辑电平的系统兼容,尤其是TTL兼容的输入输出接口,简化了与微处理器和外围设备的连接。
  此外,HM67A257JP-12采用44引脚PLCC封装,适合表面贴装工艺,具有良好的热稳定性和机械强度,适合工业级应用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行。
  这款SRAM芯片内部结构为32K x 8位,总容量为256Kbit,支持全地址解码,确保每个存储单元都能被准确访问。其异步设计允许其在没有时钟信号控制的情况下运行,通过片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)信号来控制数据的读写操作,这种控制方式灵活且易于集成到各种系统中。
  由于其高速、低功耗和宽电压特性,HM67A257JP-12广泛用于需要可靠存储和快速存取的场景,如网络设备缓存、图形控制器、打印机缓冲区以及嵌入式系统的临时数据存储。

应用

该芯片常用于嵌入式系统、工业计算机、通信模块、打印机缓冲、图像处理设备和需要高速缓存的控制系统中。

替代型号

CY62148EVLL-12ZE、IDT71V016SA12B、IS61LV256AL-12

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