时间：2025/8/1 14:13:48
阅读：37
GN4N65A4 是一款由Global Nano Electronics（GNE）公司制造的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效功率转换和开关应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，使其在高频开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统和马达驱动电路中表现出色。GN4N65A4 的额定电压为650V，适用于需要高电压耐受能力的工业与消费类电源应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：650V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4A
功耗（Pd）：45W
导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220、DIP
GN4N65A4 MOSFET 采用先进的沟槽式技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高电源转换器的工作频率，从而减小磁性元件的尺寸，提升系统整体功率密度。GN4N65A4 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在严苛的电气环境中提供可靠性能。
该器件的栅极驱动设计优化，使其在常见的栅极驱动电压（如10V或12V）下即可完全导通，兼容标准MOSFET驱动电路。此外，其封装形式（如TO-220）便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备。GN4N65A4 在设计上兼顾了性能、可靠性和成本效益，是一款广泛适用于多种应用场景的高性能MOSFET。
GN4N65A4 MOSFET 主要用于中高功率开关电源、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及马达控制电路。在这些应用中，它能够提供高效的功率转换、良好的热管理以及稳定的开关性能。由于其高电压耐受能力和良好的抗干扰性能，该器件也常用于家用电器、电动车充电系统以及智能电网相关设备中。
STP4NK65Z、FQP4N65C、IRF730、SiHP4N65ED-T1-GE3
