型号：UTC-1517P
　　制造商：UTC（友顺科技）
　　器件类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=4.5V, 3.9mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　功率耗散（Pd）：50W

UTC-1517P作为一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，具备多项优异的技术特性，适用于现代高效率电源系统设计。
　　首先，该器件拥有极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下可低至3.9mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适合用于大电流输出的DC-DC变换器和同步整流电路。即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其Rds(on)仍保持在22mΩ的较低水平，表明其对逻辑电平驱动信号具有良好的兼容性，可在3.3V或5V控制系统中直接驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了外围电路设计。
　　其次，UTC-1517P采用了先进的沟槽式（Trench）技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时改善了热分布特性，增强了器件的长期稳定性和可靠性。其高达4.8A的连续漏极电流和19A的脉冲电流能力，使其能够应对瞬态负载变化和启动冲击电流，适用于电机驱动、LED驱动电源等动态负载场景。
　　此外，该MOSFET具有快速的开关响应能力，开关时间短，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升高频开关电源的工作效率。其TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还具备较强的散热能力，可通过PCB铜箔或外接散热片有效导出热量，确保器件在高负载条件下仍能安全运行。
　　最后，UTC-1517P的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的环境条件，可用于工业级和汽车级应用。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，进一步增强了其在感性负载开关中的鲁棒性。综合来看，UTC-1517P是一款集高效、可靠、紧凑于一体的功率MOSFET解决方案。

UTC-1517P广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。
　　在电源管理领域，它常被用作同步整流器或主开关管，应用于AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器以及多相电压调节模块（VRM），尤其适合笔记本电脑、路由器、机顶盒等消费类电子产品中的低电压大电流供电方案。
　　在电池供电设备中，如移动电源、电动工具和便携式医疗设备，UTC-1517P可用于电池充放电管理电路，实现高效的能量传输与保护功能。
　　在电机控制方面，该器件适用于小型直流电机、步进电机的H桥驱动电路，凭借其低导通电阻和高电流能力，可减少发热并提高驱动效率。
　　此外，在LED照明驱动电源中，UTC-1517P可用于恒流源的开关调节部分，支持PWM调光和高亮度输出。
　　工业自动化设备中的电磁阀控制、继电器驱动、PLC输出模块等也需要此类高可靠性MOSFET进行负载切换。
　　由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，UTC-1517P也可用于车载电子系统，如车载充电器、车灯控制模块等，满足汽车电子对元器件耐温与寿命的要求。
　　总之，凡是涉及低压大电流开关控制的应用场景，UTC-1517P都是一种理想的选择。

SI2305DS-T1-E3