容量：512Kbit（64K x 8）
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间（tRC）：12ns
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　读取电流（典型值）：90mA @ 5V, 1MHz
　　待机电流（最大值）：10mA
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据输出类型：三态输出

HM65W8512LTT-12 是一款高性能异步SRAM，具备高速访问时间和低功耗设计，适用于需要快速数据存取和稳定性能的工业与通信系统。该芯片的访问时间仅为12ns，能够支持高达83MHz的读写频率，满足高速数据缓冲和临时存储需求。
　　其采用CMOS工艺制造，具有良好的功耗控制能力，在待机模式下电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用场景。此外，该芯片支持TTL电平输入，兼容多种控制器和处理器接口标准，简化了系统设计。
　　封装形式为TSOP，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。工作温度范围覆盖工业级要求（-40°C至+85°C），可在恶劣环境中稳定运行。
　　该SRAM芯片无需刷新操作，数据在供电持续的情况下保持不变，适合需要高可靠性和低延迟的数据存储应用，如高速缓存、数据缓冲器、通信接口缓存等。

HM65W8512LTT-12 广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器、嵌入式系统、视频控制器、数据采集系统等对高速存储有需求的场合。其高可靠性和宽温工作范围也使其适用于汽车电子和工业自动化等领域。

CY62148EVLL-12ZXC, IDT71V416SA12PFG, AS6C62256C-55SIN, IS62WV5128ALL-12