晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：50V
　　最大基极-发射极电压：5V
　　最大耗散功率：150mW
　　过渡频率：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据不同的电流条件）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LTL2F3VAKNT是一款专为高频应用设计的晶体管，其过渡频率（fT）高达250MHz，使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。该晶体管的低噪声特性使其在前置放大器和其他需要高信号完整性的电路中表现出色。此外，LTL2F3VAKNT的SOT-416封装不仅减小了PCB布局的空间需求，还降低了高频应用中的寄生效应，从而提高了整体电路的稳定性。该晶体管的直流电流增益（hFE）范围较宽，可在不同电流条件下提供良好的放大性能，适用于多种设计需求。
　　LTL2F3VAKNT的工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在极端环境下保持稳定运行。该晶体管的低饱和压降和快速开关特性也使其在数字开关电路中表现优异。此外，ROHM的制造工艺确保了该器件的高可靠性和一致性，适用于工业级和汽车电子应用。

LTL2F3VAKNT主要应用于需要高频放大和低噪声性能的电子电路中。其典型应用包括射频接收器的前置放大器、无线通信模块的信号放大器、低噪声放大器（LNA）以及高速开关电路。此外，该晶体管也可用于音频放大器、传感器接口电路以及需要高频率响应的数字逻辑电路。由于其优良的高频性能和稳定性，LTL2F3VAKNT在消费类电子产品、工业控制设备和汽车电子系统中都有广泛的应用。

2N3904, BC847, 2N2222, BFQ54, BFQ56