时间：2025/12/28 17:00:06
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HM64F2215TE16是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速存储器类别。这款SRAM芯片的容量为256Kbit（32K x 8），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业设备。HM64F2215TE16封装为52引脚TSOP（薄型小外形封装），工作温度范围通常为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在各种严苛环境下稳定运行。
容量：256Kbit（32K x 8）
电压范围：2.3V至3.6V
访问时间：15ns
封装类型：52-TSOP
工作温度：-40°C至+85°C
引脚数：52
组织结构：x8
封装尺寸：标准TSOP尺寸
功耗：低功耗CMOS工艺
读取电流：典型值50mA
待机电流：最大10mA
HM64F2215TE16是一款高性能SRAM芯片，具有低功耗、高速访问和宽工作温度范围等优点。该芯片采用先进的CMOS技术，确保了在高速运行时仍能保持较低的功耗水平，适用于各种嵌入式应用和工业控制系统。其15ns的访问时间使得该芯片能够满足高速缓存和实时系统对数据存取速度的要求。
该芯片的供电电压范围为2.3V至3.6V，提供了良好的电压兼容性，适用于不同系统的电源设计。其低待机电流特性（最大10mA）使其适用于电池供电设备或需要节能设计的应用场景。此外，HM64F2215TE16采用52引脚TSOP封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。
在数据保持方面，该SRAM芯片具备非易失性保持特性，只要供电不中断，数据可以长期保持不变，适合用于需要频繁读写且要求数据保持稳定的场合。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境条件下可靠运行，广泛应用于工业控制、通信设备、车载系统等领域。
HM64F2215TE16 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器、车载电子系统以及各种便携式设备中的高速缓存或临时数据存储单元。由于其高速访问和宽温度范围特性，它也适用于实时控制系统和数据采集系统中的缓冲存储器。
CY62148EVLL-45ZE, IS62WV2568EBLL-55D1LI, IDT71V416SA10Y, A2215SA180
