封装类型：DIP-24
　　工作电压：5V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装尺寸：约15.24mm x 7.87mm
　　引脚数量：24
　　最大时钟频率：10MHz
　　支持DRAM容量：最大支持256KB
　　刷新方式：自动刷新

HM6313B 芯片具备一系列关键特性，使其在早期计算机系统中发挥重要作用。首先，它能够自动管理DRAM的刷新周期，避免了数据丢失，这对于DRAM的稳定运行至关重要。其次，该控制器支持地址多路复用技术，将行地址和列地址分时复用到同一组地址线上，从而减少了引脚数量和电路复杂度。
　　此外，HM6313B 提供了灵活的地址解码能力，可以与多种处理器接口兼容，如Intel 80C186系列处理器。它还具备可编程的刷新周期控制，允许用户根据具体应用需求调整刷新频率，以平衡功耗和性能。
　　在时序控制方面，HM6313B 提供了精确的行地址选通（RAS）和列地址选通（CAS）信号生成，确保DRAM读写操作的准确性和稳定性。同时，该芯片还支持低功耗模式，在系统空闲时降低能耗。
　　HM6313B 的设计也考虑了易用性和集成度，简化了外围电路的需求，使得工程师可以更快速地将其集成到各种嵌入式系统或计算机主板设计中。

HM6313B 主要应用于早期的个人计算机（PC）、工业控制设备、嵌入式系统以及各种基于微处理器的电子设备中，用于管理DRAM的访问和控制。它特别适用于那些使用Intel 80C186或兼容处理器的系统架构，为这些系统提供高效、稳定的存储器管理解决方案。
　　此外，HM6313B 还被广泛用于通信设备、测试仪器、自动化控制系统等领域。在这些应用中，它能够有效协调处理器与DRAM之间的数据交换，确保系统运行的稳定性和效率。
　　由于其较低的功耗和良好的稳定性，HM6313B 也常见于一些便携式设备和电池供电系统中，尤其是在需要长时间运行而不频繁更换电池的场景下。在这些设备中，该控制器通过优化刷新机制和时序控制，帮助延长设备的续航时间并提升整体性能。
　　尽管现代系统中已普遍采用集成度更高的内存控制器（如集成于CPU内部），HM6313B 仍然在一些老旧设备的维护和替代市场中具有一定的价值。

HM6313A, HM6314, HM6315