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HM62W8511HCJP-12 发布时间 时间:2025/9/6 17:02:00 查看 阅读:10

HM62W8511HCJP-12 是一款由 Hitachi(现为 Renesas)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片采用了先进的CMOS技术,具有高速存取、低功耗和高可靠性等优点,适用于需要高性能数据存储的工业、通信和计算设备。该芯片封装为44引脚塑料SOJ(Small Outline J-lead),适合高密度PCB布局。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  组织方式:128K x 8
  电源电压:3.3V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  封装类型:44引脚 SOJ
  读取电流(最大):160mA
  待机电流(最大):10mA

特性

HM62W8511HCJP-12 是一款高性能SRAM芯片,具有高速访问时间(12ns)的特点,使其适用于需要快速数据访问的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高速性能的同时实现了较低的功耗,适合电池供电或对功耗敏感的系统使用。其工作电压为3.3V,符合现代电子设备的低电压标准,有助于降低整体功耗并提高系统稳定性。
  此外,该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),能够在严苛的环境条件下稳定运行。其44引脚SOJ封装形式具有良好的机械稳定性和焊接可靠性,适合用于高密度、高性能的嵌入式系统和工业控制设备中。
  芯片还具备自动断电功能,在未被访问时可自动进入低功耗模式,进一步延长设备的续航能力。其高可靠性和稳定性也使其广泛应用于通信设备、网络设备和嵌入式控制系统中。

应用

该芯片主要应用于需要高速、低功耗存储解决方案的场合,如路由器、交换机、工业控制器、测量仪器、打印机、嵌入式系统等设备中的缓存、数据缓冲或程序存储。由于其高性能和宽温特性,也被广泛用于汽车电子、通信基础设施和自动化控制系统中。

替代型号

IS61WV1008EBLL-10BLLI、CY62148EGL357B、AS6C1008-12SIN、HM628511BFP-12

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