HM6287HJP-35 是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于各种需要快速数据存储与访问的电子系统。其封装形式为塑料双列直插式封装(PDIP),适用于工业级工作温度范围。
容量:8K x 8位
组织结构:8KB SRAM
访问时间(tRC):35 ns
电源电压:5V 单电源供电
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:PDIP(塑料双列直插式封装)
引脚数:28
读写操作:异步操作
输出类型:三态输出
封装材料:塑料
HM6287HJP-35 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片,广泛应用于需要高速数据存储的工业与通信设备中。该芯片基于CMOS技术,具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于各种嵌入式系统的缓存或临时存储需求。
其核心特性之一是高速访问能力,35 ns的访问时间使其适用于要求快速响应的场景,例如微控制器系统的外部存储器扩展、高速数据缓冲器等。同时,其单电源供电设计(5V)简化了电源管理电路的设计,降低了系统的复杂度。
该芯片支持异步读写操作,意味着它不需要时钟信号来控制读写时序,而是通过地址线和控制线的电平变化来实现数据的存取,这种特性使其兼容性强,适用于多种处理器和控制器接口。
此外,HM6287HJP-35 的PDIP封装形式使其易于手工焊接和插拔,适合原型设计和中小规模生产应用。其三态输出功能可有效防止总线冲突,提高系统稳定性。
在低功耗方面,CMOS工艺的应用使其在待机状态下功耗极低,适用于对功耗敏感的应用场景。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于工业环境。
HM6287HJP-35 SRAM芯片广泛应用于多种工业和嵌入式系统中,如工业控制设备、数据采集系统、智能仪表、通信模块、嵌入式处理器系统等。它可作为微处理器或微控制器的外部高速缓存或临时数据存储器,适用于需要快速访问数据的场景,如图像处理、数据缓冲、实时控制系统等。此外,该芯片也常用于教育实验平台、电子原型开发以及老旧工业设备的维护与替换。
CY6287BL-35ZC、IDT7168SA35BI、AS6C6287-35PCN-B、IS61C887-35H