D711N 时间：2025/8/20 21:47:26 阅读：10

D711N 是一款广泛应用于功率电子领域的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），以其高耐压、高电流和低导通电阻等特性著称。该器件通常采用TO-220或TO-252等封装形式，适用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及各种功率开关应用。D711N具备良好的热稳定性和快速开关性能，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。作为一款经典的功率MOSFET型号，D711N在工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域均有广泛应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　耗散功率（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252

特性

D711N具有多项优异的电气和物理特性，适用于高要求的功率应用环境。首先，其高达900V的漏极-源极击穿电压（VDSS）使其适用于高压电源转换系统，如开关电源和LED驱动器。其次，最大漏极电流为5A，在高负载条件下仍能保持稳定工作。该器件的导通电阻（RDS(on)）约为1.5Ω，虽然略高于一些现代低RDS(on) MOSFET，但在高压应用中仍表现出良好的导通性能和成本优势。此外，D711N具备±30V的栅极电压容限，提高了其在复杂驱动电路中的可靠性，减少了因栅极过压导致的失效风险。
　　D711N的封装形式多为TO-220或TO-252，具有良好的散热能力和机械稳定性，适合焊接在PCB上并承受一定的机械应力。其75W的最大耗散功率也使得该器件在中等功率应用中表现出色。此外，该MOSFET具有快速的开关特性，可有效减少开关损耗，提高系统效率。在温度适应性方面，D711N可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种恶劣工作环境。

应用

D711N广泛应用于各类中高压功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用作主开关管，用于实现高效的能量转换。在LED驱动电源中，D711N可作为恒流控制开关，提供稳定的电流输出。此外，它也常见于DC-DC转换器中，用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现不同电压等级之间的高效转换。在电机控制和驱动电路中，D711N可用作功率开关，控制电机的启停与方向。在逆变器系统中，该器件可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或UPS不间断电源等应用场景。此外，D711N也适用于家用电器、工业控制设备、车载电源系统等各类中高压功率控制电路。