时间：2025/9/6 12:30:46
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HM628512LRR5是一款由Hitachi（现为Renesas）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为512Kbit（64K x 8）。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问的特点，适用于需要可靠数据存储和快速读写的应用场景。
容量：512Kbit（64K x 8）
电源电压：3.3V或5V可选
访问时间：55ns、70ns等不同版本
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
接口类型：并行接口
数据保持电压：最低可至2V
功耗：典型值为100mA（运行模式）
HM628512LRR5具备高速访问能力，支持快速的数据读写操作，适用于实时系统中的缓存或临时存储应用。
采用CMOS技术，具备低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
该芯片具有宽电压供电范围（可支持3.3V或5V供电），提高了其在不同系统中的兼容性。
其TSOP封装设计有助于节省PCB空间，并提高在高密度电路板中的集成度。
支持数据保持模式，在低电压条件下仍能保持数据完整性，适用于系统掉电保护机制。
广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、通信模块、测量仪器以及需要高速、低功耗存储解决方案的电子设备中。
适用于需要临时数据缓存的场景，如网络设备、数据采集系统和智能卡读写器等。
也常用于需要高可靠性和稳定性的工业自动化设备中作为主存储器或辅助存储器。
CY62148BLL-55ZXI, IS62WV5128BLL-55GTR, IDT71V416SA55B, ISSI IS61LV5128AL-55B
