容量：512Kbit（64K x 8）
　　组织方式：64K地址，每个地址8位数据
　　工作电压：3.3V ± 10%
　　访问时间（tRC）：10ns
　　读取时间（tAA）：10ns
　　写入时间（tWC）：10ns
　　封装形式：TSOP
　　引脚数量：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

HM628511HLJP-10是一款高性能SRAM芯片，具备高速访问能力，访问时间低至10ns，适合需要快速数据读写的嵌入式系统和工业控制应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗，支持待机模式以进一步降低能耗。其宽温度范围设计（-40°C至+85°C）使其在各种恶劣工作环境中仍能保持稳定运行。此外，该芯片支持异步操作，具备独立的读写控制信号，方便与多种主控设备连接。其54引脚TSOP封装形式有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能。
　　在功能方面，HM628511HLJP-10提供了64K地址空间，每个地址存储8位数据，总容量为512Kbit。它支持标准的并行接口，包含地址线（A0-A15）、数据线（D0-D7）、控制信号（CE#, OE#, WE#, UB#, LB#）等，适用于与嵌入式处理器、FPGA、DSP等主控芯片进行高速数据交换。其高低字节选择引脚（UB#和LB#）支持对数据总线的灵活控制，特别适合用于16位或更宽数据总线的系统中进行字节级访问。

该芯片广泛应用于工业自动化控制系统、通信设备、测试仪器、医疗设备、网络路由器和交换机等需要高速、可靠存储的场合。此外，也适用于嵌入式系统中作为高速缓存或临时数据存储器。

IS62WV5128ALLB-10NLI, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416S10PFGI