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HM628128BLFP-75 发布时间 时间:2025/9/7 2:02:42 查看 阅读:4

HM628128BLFP-75 是由 Hitachi(现为瑞萨电子)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特性,适用于需要快速数据读写的应用场景。HM628128BLFP-75是一款512K位(64K x 8)的SRAM芯片,提供并行数据接口,支持异步读写操作。其封装形式为52引脚TSOP(薄型小外形封装),适用于便携式设备和空间受限的应用场合。

参数

容量:64K x 8 位
  电压范围:3.3V 至 5.5V
  最大访问时间:75ns
  封装类型:52-TSOP
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  接口类型:异步并行接口
  封装尺寸:标准TSOP尺寸
  读取电流:典型值 10mA(待机模式下典型值 10μA)
  写入能力:支持全地址/数据总线写入
  封装材料:塑料TSOP
  数据保持电压:最低 2V(数据保持模式)

特性

HM628128BLFP-75 是一款高性能的低功耗SRAM芯片,适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。
  首先,该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗特性。在正常工作模式下,其电流消耗仅为几毫安,而在待机模式下,电流消耗可降至微安级别,大大延长了电池供电设备的使用时间。此外,HM628128BLFP-75 支持宽电压范围(3.3V至5.5V),使其适用于多种电源环境。
  其次,HM628128BLFP-75 提供高速访问能力,最大访问时间为75纳秒,满足了需要快速数据读写的系统需求。该芯片的异步并行接口设计允许其与多种微控制器和嵌入式系统无缝连接,简化了系统集成过程。
  此外,该芯片具有较高的可靠性,支持在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备、汽车电子等环境严苛的应用场景。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了封装的机械稳定性,适合高振动或便携式设备使用。
  最后,HM628128BLFP-75 支持数据保持模式,在电压降至2V时仍能保持数据不丢失,使系统能够在低功耗状态下维持关键数据存储。

应用

HM628128BLFP-75 广泛应用于需要高速、低功耗和紧凑封装的电子系统中。
  主要应用领域包括工业自动化控制系统,例如PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和数据采集模块。此外,该芯片也常用于通信设备,如路由器、交换机和无线基站,用于存储临时数据或配置信息。
  在消费电子领域,HM628128BLFP-75 可用于便携式设备,如手持终端、数据记录仪和智能电表,提供快速数据存储和读取能力,同时降低整体功耗。汽车电子系统中,该芯片可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和远程信息处理单元。
  由于其TSOP封装体积小、重量轻,HM628128BLFP-75 也非常适合空间受限的设计。此外,其宽温工作范围和高可靠性也使其适用于航空航天、医疗设备和测试测量仪器等高端应用。

替代型号

HM628128BLFP-70, HM628128BLTP-75, CY62148BLL-70ZS, IS61LV10248ALLB-75

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