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HM628127HBJP-20 发布时间 时间:2025/9/7 9:45:06 查看 阅读:5

HM628127HBJP-20 是一款由 Hitachi(现为 Renesas)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有128K x 8位的存储容量,采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要快速数据存取的应用场景。HM628127HBJP-20采用55ns的访问时间,工作电压为5V,具备低功耗和高可靠性的特点,广泛用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等领域。

参数

容量:128K x 8位
  访问时间:55ns
  工作电压:5V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:0°C至70°C
  输入/输出电平:TTL兼容
  功耗:典型值约200mA(待机模式下低于10mA)

特性

HM628127HBJP-20 是一款高性能SRAM芯片,具有出色的读写速度和稳定性。其55ns的访问时间使其能够满足高速数据处理的需求,适用于需要快速响应的系统设计。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,在待机模式下的电流消耗极低,有助于延长设备的使用寿命并减少热量产生。此外,HM628127HBJP-20具备TTL兼容的输入/输出电平,便于与多种微处理器和控制器进行接口连接。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了封装密度和机械稳定性,适合用于高密度PCB设计。该芯片还具备宽泛的工作温度范围(0°C至70°C),适用于各种工业和商业应用场景。此外,HM628127HBJP-20的高可靠性设计确保了在长时间运行中的稳定性能,是许多嵌入式系统和数据存储设备的理想选择。

应用

HM628127HBJP-20 SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器、打印机缓冲存储器、嵌入式系统以及消费类电子产品中的临时数据存储单元。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适合用于需要频繁读写操作的场景,如高速缓存、图像处理缓存、实时数据缓冲等。在嵌入式系统中,HM628127HBJP-20可以作为外部存储器扩展,为微控制器或数字信号处理器(DSP)提供额外的RAM空间。此外,该芯片也可用于老式计算机系统或工控机主板的内存扩展,以及需要可靠SRAM解决方案的自动化设备中。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE3, IS62WV5128FBLL-55D1LF, IDT71V416S15PHG, SR62V1028HVC-10

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